All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM219R61C106KA73 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61C106KA73 - Product Image 1
GRM219R61C106KA73 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61C106KA73 - Product Image 2
GRM219R61C106KA73 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61C106KA73 - Product Image 3
GRM219R61C106KA73 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61C106KA73 - Product Image 4
GRM219R61C106KA73 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61C106KA73 - Product Image 5
GRM219R61C106KA73 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61C106KA73 - Product Image 6

GRM219R61C106KA73 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R61C106KA73

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRT31MC81E106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31MC81E106KE01 - Product Image 1
GRT31MC81E106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31MC81E106KE01 - Product Image 2
GRT31MC81E106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31MC81E106KE01 - Product Image 3
GRT31MC81E106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31MC81E106KE01 - Product Image 4
GRT31MC81E106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31MC81E106KE01 - Product Image 5
GRT31MC81E106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31MC81E106KE01 - Product Image 6

GRT31MC81E106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31MC81E106KE01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRT21BC81C106KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 1
GRT21BC81C106KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 2
GRT21BC81C106KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 3
GRT21BC81C106KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 4
GRT21BC81C106KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 5
GRT21BC81C106KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01 - Product Image 6

GRT21BC81C106KE01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT21BC81C106KE01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C3225X7R1C106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106M200AB - Product Image 1
C3225X7R1C106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106M200AB - Product Image 2
C3225X7R1C106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106M200AB - Product Image 3
C3225X7R1C106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106M200AB - Product Image 4
C3225X7R1C106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106M200AB - Product Image 5
C3225X7R1C106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106M200AB - Product Image 6

C3225X7R1C106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6M3X7R1C106M200AB

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C3216X7R1V106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1206 10 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106M160AE - Product Image 1
C3216X7R1V106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1206 10 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106M160AE - Product Image 2
C3216X7R1V106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1206 10 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106M160AE - Product Image 3
C3216X7R1V106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1206 10 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106M160AE - Product Image 4
C3216X7R1V106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1206 10 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106M160AE - Product Image 5
C3216X7R1V106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1206 10 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106M160AE - Product Image 6

C3216X7R1V106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 1206 10 F 35V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106M160AE

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM31CC81C106MA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81C106MA12 - Product Image 1
GRM31CC81C106MA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81C106MA12 - Product Image 2
GRM31CC81C106MA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81C106MA12 - Product Image 3
GRM31CC81C106MA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81C106MA12 - Product Image 4
GRM31CC81C106MA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81C106MA12 - Product Image 5
GRM31CC81C106MA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81C106MA12 - Product Image 6

GRM31CC81C106MA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81C106MA12

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C3225X8R1E106K250AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1210 10 F 25V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AE - Product Image 1
C3225X8R1E106K250AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1210 10 F 25V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AE - Product Image 2
C3225X8R1E106K250AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1210 10 F 25V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AE - Product Image 3
C3225X8R1E106K250AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1210 10 F 25V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AE - Product Image 4
C3225X8R1E106K250AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1210 10 F 25V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AE - Product Image 5
C3225X8R1E106K250AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1210 10 F 25V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AE - Product Image 6

C3225X8R1E106K250AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1210 10 F 25V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AE

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
CNA5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1E106K160AE - Product Image 1
CNA5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1E106K160AE - Product Image 2
CNA5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1E106K160AE - Product Image 3
CNA5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1E106K160AE - Product Image 4
CNA5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1E106K160AE - Product Image 5
CNA5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1E106K160AE - Product Image 6

CNA5L1X7R1E106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1E106K160AE

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)