All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 1
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 2
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 3
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 4
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 5
C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 6

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1H106K250AB

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(573)
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 1
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 2
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 3
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 4
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 5
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 6

C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(573)
GRT31CC81E106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81E106KE01 - Product Image 1
GRT31CC81E106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81E106KE01 - Product Image 2
GRT31CC81E106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81E106KE01 - Product Image 3
GRT31CC81E106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81E106KE01 - Product Image 4
GRT31CC81E106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81E106KE01 - Product Image 5
GRT31CC81E106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81E106KE01 - Product Image 6

GRT31CC81E106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81E106KE01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(573)
CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 1
CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 2
CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 3
CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 4
CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 5
CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106M335JH - Product Image 6

CKG57KX7R1E106M335JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 10 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106M335JH

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(573)
GRM32EB31H106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±20% B 85 10uF GRM32EB31H106MA12 - Product Image 1
GRM32EB31H106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±20% B 85 10uF GRM32EB31H106MA12 - Product Image 2
GRM32EB31H106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±20% B 85 10uF GRM32EB31H106MA12 - Product Image 3
GRM32EB31H106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±20% B 85 10uF GRM32EB31H106MA12 - Product Image 4
GRM32EB31H106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±20% B 85 10uF GRM32EB31H106MA12 - Product Image 5
GRM32EB31H106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±20% B 85 10uF GRM32EB31H106MA12 - Product Image 6

GRM32EB31H106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±20% B 85 10uF GRM32EB31H106MA12

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(573)
GRM31CB3YA106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 1
GRM31CB3YA106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 2
GRM31CB3YA106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 3
GRM31CB3YA106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 4
GRM31CB3YA106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 5
GRM31CB3YA106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 6

GRM31CB3YA106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(573)
ZRB18AC80J106ME01(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC80J106ME01 - Product Image 1
ZRB18AC80J106ME01(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC80J106ME01 - Product Image 2
ZRB18AC80J106ME01(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC80J106ME01 - Product Image 3
ZRB18AC80J106ME01(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC80J106ME01 - Product Image 4
ZRB18AC80J106ME01(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC80J106ME01 - Product Image 5
ZRB18AC80J106ME01(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC80J106ME01 - Product Image 6

ZRB18AC80J106ME01(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC80J106ME01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(573)
GRJ31CR71C106KE11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106KE11 - Product Image 1
GRJ31CR71C106KE11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106KE11 - Product Image 2
GRJ31CR71C106KE11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106KE11 - Product Image 3
GRJ31CR71C106KE11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106KE11 - Product Image 4
GRJ31CR71C106KE11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106KE11 - Product Image 5
GRJ31CR71C106KE11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106KE11 - Product Image 6

GRJ31CR71C106KE11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106KE11

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(573)