All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GJ8188R60J106ME83(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GJ8188R60J106ME83 - Product Image 1
GJ8188R60J106ME83(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GJ8188R60J106ME83 - Product Image 2
GJ8188R60J106ME83(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GJ8188R60J106ME83 - Product Image 3
GJ8188R60J106ME83(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GJ8188R60J106ME83 - Product Image 4
GJ8188R60J106ME83(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GJ8188R60J106ME83 - Product Image 5
GJ8188R60J106ME83(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GJ8188R60J106ME83 - Product Image 6

GJ8188R60J106ME83(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GJ8188R60J106ME83

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C2012X7R0J106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 6.3V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106M125AD - Product Image 1
C2012X7R0J106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 6.3V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106M125AD - Product Image 2
C2012X7R0J106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 6.3V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106M125AD - Product Image 3
C2012X7R0J106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 6.3V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106M125AD - Product Image 4
C2012X7R0J106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 6.3V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106M125AD - Product Image 5
C2012X7R0J106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 6.3V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106M125AD - Product Image 6

C2012X7R0J106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 6.3V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106M125AD

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GCH21BR70J106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GCH21BR70J106KE01 - Product Image 1
GCH21BR70J106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GCH21BR70J106KE01 - Product Image 2
GCH21BR70J106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GCH21BR70J106KE01 - Product Image 3
GCH21BR70J106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GCH21BR70J106KE01 - Product Image 4
GCH21BR70J106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GCH21BR70J106KE01 - Product Image 5
GCH21BR70J106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GCH21BR70J106KE01 - Product Image 6

GCH21BR70J106KE01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GCH21BR70J106KE01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GCM32EC72A106KEC2 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC72A106KEC2 - Product Image 1
GCM32EC72A106KEC2 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC72A106KEC2 - Product Image 2
GCM32EC72A106KEC2 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC72A106KEC2 - Product Image 3
GCM32EC72A106KEC2 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC72A106KEC2 - Product Image 4
GCM32EC72A106KEC2 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC72A106KEC2 - Product Image 5
GCM32EC72A106KEC2 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC72A106KEC2 - Product Image 6

GCM32EC72A106KEC2 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC72A106KEC2

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRT21BR60J106ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR60J106ME01 - Product Image 1
GRT21BR60J106ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR60J106ME01 - Product Image 2
GRT21BR60J106ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR60J106ME01 - Product Image 3
GRT21BR60J106ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR60J106ME01 - Product Image 4
GRT21BR60J106ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR60J106ME01 - Product Image 5
GRT21BR60J106ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR60J106ME01 - Product Image 6

GRT21BR60J106ME01(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR60J106ME01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C3225X7R1N106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106K250AC - Product Image 1
C3225X7R1N106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106K250AC - Product Image 2
C3225X7R1N106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106K250AC - Product Image 3
C3225X7R1N106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106K250AC - Product Image 4
C3225X7R1N106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106K250AC - Product Image 5
C3225X7R1N106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106K250AC - Product Image 6

C3225X7R1N106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 75V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X7R1N106K250AC

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM21BC81D106ME51(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 20Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81D106ME51 - Product Image 1
GRM21BC81D106ME51(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 20Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81D106ME51 - Product Image 2
GRM21BC81D106ME51(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 20Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81D106ME51 - Product Image 3
GRM21BC81D106ME51(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 20Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81D106ME51 - Product Image 4
GRM21BC81D106ME51(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 20Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81D106ME51 - Product Image 5
GRM21BC81D106ME51(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 20Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81D106ME51 - Product Image 6

GRM21BC81D106ME51(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0805 10 F 20Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81D106ME51

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM188C80E106KE47 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 2.5Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM188C80E106KE47 - Product Image 1
GRM188C80E106KE47 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 2.5Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM188C80E106KE47 - Product Image 2
GRM188C80E106KE47 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 2.5Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM188C80E106KE47 - Product Image 3
GRM188C80E106KE47 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 2.5Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM188C80E106KE47 - Product Image 4
GRM188C80E106KE47 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 2.5Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM188C80E106KE47 - Product Image 5
GRM188C80E106KE47 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 2.5Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM188C80E106KE47 - Product Image 6

GRM188C80E106KE47 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 2.5Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM188C80E106KE47

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)