All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

C2012X7R0J106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 6.3V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106K125AE - Product Image 1
C2012X7R0J106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 6.3V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106K125AE - Product Image 2
C2012X7R0J106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 6.3V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106K125AE - Product Image 3
C2012X7R0J106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 6.3V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106K125AE - Product Image 4
C2012X7R0J106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 6.3V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106K125AE - Product Image 5
C2012X7R0J106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 6.3V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106K125AE - Product Image 6

C2012X7R0J106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 0805 10 F 6.3V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7R0J106K125AE

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 1
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 2
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 3
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 4
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 5
CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH - Product Image 6

CKG57NX7R1H106M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 50 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R1H106M500JH

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C3216X7R1V106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 10 F 35V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106K160AC - Product Image 1
C3216X7R1V106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 10 F 35V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106K160AC - Product Image 2
C3216X7R1V106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 10 F 35V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106K160AC - Product Image 3
C3216X7R1V106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 10 F 35V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106K160AC - Product Image 4
C3216X7R1V106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 10 F 35V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106K160AC - Product Image 5
C3216X7R1V106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 10 F 35V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106K160AC - Product Image 6

C3216X7R1V106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 10 F 35V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1V106K160AC

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 1
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 2
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 3
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 4
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 5
GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 6

GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM31CR6YA106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR6YA106MA12 - Product Image 1
GRM31CR6YA106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR6YA106MA12 - Product Image 2
GRM31CR6YA106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR6YA106MA12 - Product Image 3
GRM31CR6YA106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR6YA106MA12 - Product Image 4
GRM31CR6YA106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR6YA106MA12 - Product Image 5
GRM31CR6YA106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR6YA106MA12 - Product Image 6

GRM31CR6YA106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM31CR6YA106MA12

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM32EB3YA106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 1
GRM32EB3YA106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 2
GRM32EB3YA106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 3
GRM32EB3YA106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 4
GRM32EB3YA106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 5
GRM32EB3YA106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 6

GRM32EB3YA106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM21BC81D106KE51 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 20Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM21BC81D106KE51 - Product Image 1
GRM21BC81D106KE51 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 20Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM21BC81D106KE51 - Product Image 2
GRM21BC81D106KE51 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 20Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM21BC81D106KE51 - Product Image 3
GRM21BC81D106KE51 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 20Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM21BC81D106KE51 - Product Image 4
GRM21BC81D106KE51 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 20Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM21BC81D106KE51 - Product Image 5
GRM21BC81D106KE51 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 20Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM21BC81D106KE51 - Product Image 6

GRM21BC81D106KE51 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 20Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM21BC81D106KE51

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM21BC80G106ME19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC80G106ME19 - Product Image 1
GRM21BC80G106ME19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC80G106ME19 - Product Image 2
GRM21BC80G106ME19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC80G106ME19 - Product Image 3
GRM21BC80G106ME19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC80G106ME19 - Product Image 4
GRM21BC80G106ME19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC80G106ME19 - Product Image 5
GRM21BC80G106ME19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC80G106ME19 - Product Image 6

GRM21BC80G106ME19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC80G106ME19

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)