All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM31CB10J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 1
GRM31CB10J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 2
GRM31CB10J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 3
GRM31CB10J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 4
GRM31CB10J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 5
GRM31CB10J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01 - Product Image 6

GRM31CB10J106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB10J106MA01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
CKG57NX7R2A106M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 10 F 100V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R2A106M500JH - Product Image 1
CKG57NX7R2A106M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 10 F 100V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R2A106M500JH - Product Image 2
CKG57NX7R2A106M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 10 F 100V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R2A106M500JH - Product Image 3
CKG57NX7R2A106M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 10 F 100V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R2A106M500JH - Product Image 4
CKG57NX7R2A106M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 10 F 100V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R2A106M500JH - Product Image 5
CKG57NX7R2A106M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 10 F 100V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R2A106M500JH - Product Image 6

CKG57NX7R2A106M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 10 F 100V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57NX7R2A106M500JH

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C3225X7S1H106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106M250AB - Product Image 1
C3225X7S1H106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106M250AB - Product Image 2
C3225X7S1H106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106M250AB - Product Image 3
C3225X7S1H106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106M250AB - Product Image 4
C3225X7S1H106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106M250AB - Product Image 5
C3225X7S1H106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106M250AB - Product Image 6

C3225X7S1H106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106M250AB

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRJ31CC8YA106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X6S 105 10uF GRJ31CC8YA106ME01 - Product Image 1
GRJ31CC8YA106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X6S 105 10uF GRJ31CC8YA106ME01 - Product Image 2
GRJ31CC8YA106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X6S 105 10uF GRJ31CC8YA106ME01 - Product Image 3
GRJ31CC8YA106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X6S 105 10uF GRJ31CC8YA106ME01 - Product Image 4
GRJ31CC8YA106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X6S 105 10uF GRJ31CC8YA106ME01 - Product Image 5
GRJ31CC8YA106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X6S 105 10uF GRJ31CC8YA106ME01 - Product Image 6

GRJ31CC8YA106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 35Vdc ±20% X6S 105 10uF GRJ31CC8YA106ME01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM32DR61C106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 1
GRM32DR61C106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 2
GRM32DR61C106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 3
GRM32DR61C106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 4
GRM32DR61C106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 5
GRM32DR61C106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01 - Product Image 6

GRM32DR61C106MA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61C106MA01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRT188C80J106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 1
GRT188C80J106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 2
GRT188C80J106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 3
GRT188C80J106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 4
GRT188C80J106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 5
GRT188C80J106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 6

GRT188C80J106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM21BB10J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB10J106ME01 - Product Image 1
GRM21BB10J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB10J106ME01 - Product Image 2
GRM21BB10J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB10J106ME01 - Product Image 3
GRM21BB10J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB10J106ME01 - Product Image 4
GRM21BB10J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB10J106ME01 - Product Image 5
GRM21BB10J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB10J106ME01 - Product Image 6

GRM21BB10J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM21BB10J106ME01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C3225X7S1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106K250AB - Product Image 1
C3225X7S1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106K250AB - Product Image 2
C3225X7S1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106K250AB - Product Image 3
C3225X7S1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106K250AB - Product Image 4
C3225X7S1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106K250AB - Product Image 5
C3225X7S1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106K250AB - Product Image 6

C3225X7S1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X7S1H106K250AB

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)