All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM32ER6YA106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER6YA106KA12 - Product Image 1
GRM32ER6YA106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER6YA106KA12 - Product Image 2
GRM32ER6YA106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER6YA106KA12 - Product Image 3
GRM32ER6YA106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER6YA106KA12 - Product Image 4
GRM32ER6YA106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER6YA106KA12 - Product Image 5
GRM32ER6YA106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER6YA106KA12 - Product Image 6

GRM32ER6YA106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER6YA106KA12

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM31CR61H106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31CR61H106KA12 - Product Image 1
GRM31CR61H106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31CR61H106KA12 - Product Image 2
GRM31CR61H106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31CR61H106KA12 - Product Image 3
GRM31CR61H106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31CR61H106KA12 - Product Image 4
GRM31CR61H106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31CR61H106KA12 - Product Image 5
GRM31CR61H106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31CR61H106KA12 - Product Image 6

GRM31CR61H106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM31CR61H106KA12

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C3225X8R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AE - Product Image 1
C3225X8R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AE - Product Image 2
C3225X8R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AE - Product Image 3
C3225X8R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AE - Product Image 4
C3225X8R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AE - Product Image 5
C3225X8R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AE - Product Image 6

C3225X8R1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AE

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRT155D70G106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0402 10 F 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GRT155D70G106ME13 - Product Image 1
GRT155D70G106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0402 10 F 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GRT155D70G106ME13 - Product Image 2
GRT155D70G106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0402 10 F 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GRT155D70G106ME13 - Product Image 3
GRT155D70G106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0402 10 F 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GRT155D70G106ME13 - Product Image 4
GRT155D70G106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0402 10 F 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GRT155D70G106ME13 - Product Image 5
GRT155D70G106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0402 10 F 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GRT155D70G106ME13 - Product Image 6

GRT155D70G106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0402 10 F 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GRT155D70G106ME13

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM21BC81C106ME15(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81C106ME15 - Product Image 1
GRM21BC81C106ME15(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81C106ME15 - Product Image 2
GRM21BC81C106ME15(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81C106ME15 - Product Image 3
GRM21BC81C106ME15(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81C106ME15 - Product Image 4
GRM21BC81C106ME15(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81C106ME15 - Product Image 5
GRM21BC81C106ME15(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81C106ME15 - Product Image 6

GRM21BC81C106ME15(CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM21BC81C106ME15

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 1
C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 2
C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 3
C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 4
C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 5
C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB - Product Image 6

C5750X7S2A106K230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C5750X7S2A106K230KB

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 1
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 2
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 3
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 4
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 5
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 6

CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GCM32ER71E106MA57 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM32ER71E106MA57 - Product Image 1
GCM32ER71E106MA57 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM32ER71E106MA57 - Product Image 2
GCM32ER71E106MA57 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM32ER71E106MA57 - Product Image 3
GCM32ER71E106MA57 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM32ER71E106MA57 - Product Image 4
GCM32ER71E106MA57 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM32ER71E106MA57 - Product Image 5
GCM32ER71E106MA57 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM32ER71E106MA57 - Product Image 6

GCM32ER71E106MA57 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM32ER71E106MA57

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)