All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRT31CC81A106KE01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81A106KE01 - Product Image 1
GRT31CC81A106KE01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81A106KE01 - Product Image 2
GRT31CC81A106KE01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81A106KE01 - Product Image 3
GRT31CC81A106KE01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81A106KE01 - Product Image 4
GRT31CC81A106KE01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81A106KE01 - Product Image 5
GRT31CC81A106KE01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81A106KE01 - Product Image 6

GRT31CC81A106KE01(ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81A106KE01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM32DC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM32DC81E106KA12 - Product Image 1
GRM32DC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM32DC81E106KA12 - Product Image 2
GRM32DC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM32DC81E106KA12 - Product Image 3
GRM32DC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM32DC81E106KA12 - Product Image 4
GRM32DC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM32DC81E106KA12 - Product Image 5
GRM32DC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM32DC81E106KA12 - Product Image 6

GRM32DC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM32DC81E106KA12

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRT31CR61A106KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106KE01 - Product Image 1
GRT31CR61A106KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106KE01 - Product Image 2
GRT31CR61A106KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106KE01 - Product Image 3
GRT31CR61A106KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106KE01 - Product Image 4
GRT31CR61A106KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106KE01 - Product Image 5
GRT31CR61A106KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106KE01 - Product Image 6

GRT31CR61A106KE01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106KE01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 1
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 2
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 3
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 4
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 5
GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12 - Product Image 6

GRM31CC81E106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM31CC81E106MA12

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C1608X7T0G106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 0603 10 F 4V ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA3E3X7T0G106M080AB - Product Image 1
C1608X7T0G106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 0603 10 F 4V ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA3E3X7T0G106M080AB - Product Image 2
C1608X7T0G106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 0603 10 F 4V ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA3E3X7T0G106M080AB - Product Image 3
C1608X7T0G106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 0603 10 F 4V ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA3E3X7T0G106M080AB - Product Image 4
C1608X7T0G106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 0603 10 F 4V ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA3E3X7T0G106M080AB - Product Image 5
C1608X7T0G106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 0603 10 F 4V ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA3E3X7T0G106M080AB - Product Image 6

C1608X7T0G106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป) 0603 10 F 4V ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA3E3X7T0G106M080AB

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
ZRB18AR61E106KE01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF ZRB18AR61E106KE01 - Product Image 1
ZRB18AR61E106KE01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF ZRB18AR61E106KE01 - Product Image 2
ZRB18AR61E106KE01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF ZRB18AR61E106KE01 - Product Image 3
ZRB18AR61E106KE01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF ZRB18AR61E106KE01 - Product Image 4
ZRB18AR61E106KE01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF ZRB18AR61E106KE01 - Product Image 5
ZRB18AR61E106KE01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF ZRB18AR61E106KE01 - Product Image 6

ZRB18AR61E106KE01 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF ZRB18AR61E106KE01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C3216X7R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106K160AD - Product Image 1
C3216X7R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106K160AD - Product Image 2
C3216X7R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106K160AD - Product Image 3
C3216X7R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106K160AD - Product Image 4
C3216X7R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106K160AD - Product Image 5
C3216X7R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106K160AD - Product Image 6

C3216X7R1E106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 25V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1E106K160AD

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRT32DC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106ME01 - Product Image 1
GRT32DC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106ME01 - Product Image 2
GRT32DC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106ME01 - Product Image 3
GRT32DC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106ME01 - Product Image 4
GRT32DC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106ME01 - Product Image 5
GRT32DC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106ME01 - Product Image 6

GRT32DC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1210 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106ME01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)