All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GCM155M8EA106ME08 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 10 F 2.5Vdc ±20% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM155M8EA106ME08 - Product Image 1
GCM155M8EA106ME08 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 10 F 2.5Vdc ±20% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM155M8EA106ME08 - Product Image 2
GCM155M8EA106ME08 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 10 F 2.5Vdc ±20% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM155M8EA106ME08 - Product Image 3
GCM155M8EA106ME08 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 10 F 2.5Vdc ±20% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM155M8EA106ME08 - Product Image 4
GCM155M8EA106ME08 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 10 F 2.5Vdc ±20% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM155M8EA106ME08 - Product Image 5
GCM155M8EA106ME08 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 10 F 2.5Vdc ±20% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM155M8EA106ME08 - Product Image 6

GCM155M8EA106ME08 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0402 10 F 2.5Vdc ±20% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM155M8EA106ME08

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GCM31CR71C106MA64 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM31CR71C106MA64 - Product Image 1
GCM31CR71C106MA64 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM31CR71C106MA64 - Product Image 2
GCM31CR71C106MA64 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM31CR71C106MA64 - Product Image 3
GCM31CR71C106MA64 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM31CR71C106MA64 - Product Image 4
GCM31CR71C106MA64 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM31CR71C106MA64 - Product Image 5
GCM31CR71C106MA64 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM31CR71C106MA64 - Product Image 6

GCM31CR71C106MA64 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์กระแสตรง ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM31CR71C106MA64

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GCG21BR70J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR70J106ME01 - Product Image 1
GCG21BR70J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR70J106ME01 - Product Image 2
GCG21BR70J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR70J106ME01 - Product Image 3
GCG21BR70J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR70J106ME01 - Product Image 4
GCG21BR70J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR70J106ME01 - Product Image 5
GCG21BR70J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR70J106ME01 - Product Image 6

GCG21BR70J106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR70J106ME01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 1
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 2
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 3
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 4
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 5
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 6

C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 25V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1E106K125AB

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
NFM18TC106D0G3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0G3 - Product Image 1
NFM18TC106D0G3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0G3 - Product Image 2
NFM18TC106D0G3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0G3 - Product Image 3
NFM18TC106D0G3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0G3 - Product Image 4
NFM18TC106D0G3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0G3 - Product Image 5
NFM18TC106D0G3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0G3 - Product Image 6

NFM18TC106D0G3 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0G3

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRJ31CR71E106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71E106ME11 - Product Image 1
GRJ31CR71E106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71E106ME11 - Product Image 2
GRJ31CR71E106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71E106ME11 - Product Image 3
GRJ31CR71E106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71E106ME11 - Product Image 4
GRJ31CR71E106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71E106ME11 - Product Image 5
GRJ31CR71E106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71E106ME11 - Product Image 6

GRJ31CR71E106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71E106ME11

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
C2012X7R1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 10V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C2012X7R1A106K125AE - Product Image 1
C2012X7R1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 10V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C2012X7R1A106K125AE - Product Image 2
C2012X7R1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 10V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C2012X7R1A106K125AE - Product Image 3
C2012X7R1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 10V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C2012X7R1A106K125AE - Product Image 4
C2012X7R1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 10V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C2012X7R1A106K125AE - Product Image 5
C2012X7R1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 10V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C2012X7R1A106K125AE - Product Image 6

C2012X7R1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 0805 10 F 10V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C2012X7R1A106K125AE

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)
GRM21BC70G106ME45 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC70G106ME45 - Product Image 1
GRM21BC70G106ME45 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC70G106ME45 - Product Image 2
GRM21BC70G106ME45 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC70G106ME45 - Product Image 3
GRM21BC70G106ME45 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC70G106ME45 - Product Image 4
GRM21BC70G106ME45 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC70G106ME45 - Product Image 5
GRM21BC70G106ME45 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC70G106ME45 - Product Image 6

GRM21BC70G106ME45 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 4Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC70G106ME45

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(570)