All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

0805F475Z160CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 16V) - Product Image 1

0805F475Z160CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 16V) - Product Image 2

0805F475Z160CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 16V) - Product Image 3

0805F475Z160CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 16V) - Product Image 4

0805F475Z160CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 16V) - Product Image 5

0805F475Z160CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 16V) - Product Image 6

0805F475Z160CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0805 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 16V)

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T55B226M016C0150 1411 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06B1B221KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบวงแหวน CT81-M12Y5V1E103MSE แบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=10 มม. 10nF 20% 2kV 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7SR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 23mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1EA220WAR ขนาด D5xL5.4 มม. 22uF 20% 25V 35mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR 16FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR 16FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR 16FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR 16FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR 16FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR 16FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR 16FJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20