All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD100JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10pF 5% 2kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD100JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10pF 5% 2kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD100JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10pF 5% 2kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD100JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10pF 5% 2kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD100JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10pF 5% 2kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD100JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10pF 5% 2kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD100JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. 10pF 5% 2kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA220WAP ขนาด D6.3xL5.4 มม. 22uF 20% 50V 40mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA220WAP ขนาด D6.3xL5.4 มม. 22uF 20% 50V 40mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA220WAP ขนาด D6.3xL5.4 มม. 22uF 20% 50V 40mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA220WAP ขนาด D6.3xL5.4 มม. 22uF 20% 50V 40mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA220WAP ขนาด D6.3xL5.4 มม. 22uF 20% 50V 40mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA220WAP ขนาด D6.3xL5.4 มม. 22uF 20% 50V 40mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA220WAP ขนาด D6.3xL5.4 มม. 22uF 20% 50V 40mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3FD102K-VRA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 10% 3kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22X7RN6FJ5B8 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22X7RN6FJ5B8 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22X7RN6FJ5B8 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22X7RN6FJ5B8 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22X7RN6FJ5B8 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22X7RN6FJ5B8 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22X7RN6FJ5B8 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07B1E221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR NEFJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR NEFJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR NEFJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR NEFJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR NEFJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR NEFJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH471K26YR NEFJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN60L5C8 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X332K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 3.3nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X332K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 3.3nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X332K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 3.3nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X332K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 3.3nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X332K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 3.3nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X332K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 3.3nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X332K251T ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 3.3nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1