All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC4PDSL4B30MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC4PDSL4B30MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC4PDSL4B30MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC4PDSL4B30MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC4PDSL4B30MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC4PDSL4B30MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H101KC4PDSL4B30MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD103ZYGNA ชนิด THT ขนาด 10nF ค่าความคลื่นความถี่ 20%~+80% แรงดัน 3kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD103ZYGNA ชนิด THT ขนาด 10nF ค่าความคลื่นความถี่ 20%~+80% แรงดัน 3kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD103ZYGNA ชนิด THT ขนาด 10nF ค่าความคลื่นความถี่ 20%~+80% แรงดัน 3kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD103ZYGNA ชนิด THT ขนาด 10nF ค่าความคลื่นความถี่ 20%~+80% แรงดัน 3kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD103ZYGNA ชนิด THT ขนาด 10nF ค่าความคลื่นความถี่ 20%~+80% แรงดัน 3kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD103ZYGNA ชนิด THT ขนาด 10nF ค่าความคลื่นความถี่ 20%~+80% แรงดัน 3kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3FD103ZYGNA ชนิด THT ขนาด 10nF ค่าความคลื่นความถี่ 20%~+80% แรงดัน 3kV

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 43mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 43mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 43mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 43mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 43mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 43mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1A330AR, ขนาด D5xL5.4 มม., 33uF, 20%, 10V, 43mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEE1HA100WR 10uF 20% 50V 27mA-120Hz D5xL5.4mm - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEE1HA100WR 10uF 20% 50V 27mA-120Hz D5xL5.4mm - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEE1HA100WR 10uF 20% 50V 27mA-120Hz D5xL5.4mm - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEE1HA100WR 10uF 20% 50V 27mA-120Hz D5xL5.4mm - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEE1HA100WR 10uF 20% 50V 27mA-120Hz D5xL5.4mm - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEE1HA100WR 10uF 20% 50V 27mA-120Hz D5xL5.4mm - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEE1HA100WR 10uF 20% 50V 27mA-120Hz D5xL5.4mm

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06S1B150KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 15pF 10% 500V 5 มม.

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3FD101KYGNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3FD101KYGNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3FD101KYGNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3FD101KYGNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3FD101KYGNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3FD101KYGNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3FD101KYGNA ชนิด THT ระยะขา P=7.5 มม. 100pF 10% 3kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102K22Y5PLEFJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102K22Y5PLEFJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102K22Y5PLEFJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102K22Y5PLEFJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102K22Y5PLEFJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102K22Y5PLEFJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102K22Y5PLEFJ5A0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น HGK3DF223ZA4BW ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5