All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C226M025AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C226M025AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C226M025AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C226M025AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C226M025AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C226M025AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C226M025AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 22uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD221KYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD221KYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD221KYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD221KYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD221KYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD221KYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD221KYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X103K251T ขนาด 1206 ( ความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X103K251T ขนาด 1206 ( ความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X103K251T ขนาด 1206 ( ความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X103K251T ขนาด 1206 ( ความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X103K251T ขนาด 1206 ( ความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X103K251T ขนาด 1206 ( ความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C1206X103K251T ขนาด 1206 ( ความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 250V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 1

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 2

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 3

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 4

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 5

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม - Product Image 6

562R5GAD10ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 6.4มม. 1nF 20% 1kV 6.4มม

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3AD221JYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก Aec-Q200 Taiyo Yuden 50ชิ้น MCASE21GSB7225KTNA01/EMK212B7225KGHT SMT 0805 X7R 16V 2.2uF 10% - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก Aec-Q200 Taiyo Yuden 50ชิ้น MCASE21GSB7225KTNA01/EMK212B7225KGHT SMT 0805 X7R 16V 2.2uF 10% - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก Aec-Q200 Taiyo Yuden 50ชิ้น MCASE21GSB7225KTNA01/EMK212B7225KGHT SMT 0805 X7R 16V 2.2uF 10% - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก Aec-Q200 Taiyo Yuden 50ชิ้น MCASE21GSB7225KTNA01/EMK212B7225KGHT SMT 0805 X7R 16V 2.2uF 10% - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก Aec-Q200 Taiyo Yuden 50ชิ้น MCASE21GSB7225KTNA01/EMK212B7225KGHT SMT 0805 X7R 16V 2.2uF 10% - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก Aec-Q200 Taiyo Yuden 50ชิ้น MCASE21GSB7225KTNA01/EMK212B7225KGHT SMT 0805 X7R 16V 2.2uF 10% - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก Aec-Q200 Taiyo Yuden 50ชิ้น MCASE21GSB7225KTNA01/EMK212B7225KGHT SMT 0805 X7R 16V 2.2uF 10%

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G100MV, ขนาด D10xL13 มม. 10uF 20% 400V 270mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G100MV, ขนาด D10xL13 มม. 10uF 20% 400V 270mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G100MV, ขนาด D10xL13 มม. 10uF 20% 400V 270mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G100MV, ขนาด D10xL13 มม. 10uF 20% 400V 270mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G100MV, ขนาด D10xL13 มม. 10uF 20% 400V 270mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G100MV, ขนาด D10xL13 มม. 10uF 20% 400V 270mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1302G100MV, ขนาด D10xL13 มม. 10uF 20% 400V 270mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20