All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ ม

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV220WAR, ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 22uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 35mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV220WAR, ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 22uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 35mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV220WAR, ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 22uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 35mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV220WAR, ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 22uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 35mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV220WAR, ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 22uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 35mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV220WAR, ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 22uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 35mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAV220WAR, ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 22uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 35mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C335M035AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 3.3uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C335M035AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 3.3uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C335M035AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 3.3uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C335M035AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 3.3uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C335M035AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 3.3uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C335M035AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 3.3uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T491C335M035AT รุ่น CASE-C-6032 ( ความจุ: 3.3uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 35V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

CC45SL3AD101JYVNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 1

CC45SL3AD101JYVNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 2

CC45SL3AD101JYVNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 3

CC45SL3AD101JYVNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 4

CC45SL3AD101JYVNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 5

CC45SL3AD101JYVNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม - Product Image 6

CC45SL3AD101JYVNA ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 100pF 5% 1kV 5มม

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 25V กระแสไฟฟ้า 130mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 25V กระแสไฟฟ้า 130mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 25V กระแสไฟฟ้า 130mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 25V กระแสไฟฟ้า 130mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 25V กระแสไฟฟ้า 130mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 25V กระแสไฟฟ้า 130mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA1E101AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 25V กระแสไฟฟ้า 130mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A09S2D680KN0B2S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 68pF 10% 6kV 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A09S2D680KN0B2S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 68pF 10% 6kV 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A09S2D680KN0B2S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 68pF 10% 6kV 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A09S2D680KN0B2S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 68pF 10% 6kV 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A09S2D680KN0B2S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 68pF 10% 6kV 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A09S2D680KN0B2S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 68pF 10% 6kV 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น A09S2D680KN0B2S0N0 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 68pF 10% 6kV 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม.

฿0.3174-0.952

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 500V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B221KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF 10% 500V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3K560KD1IESLBQ6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะห่างขา P=7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3K560KD1IESLBQ6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะห่างขา P=7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3K560KD1IESLBQ6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะห่างขา P=7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3K560KD1IESLBQ6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะห่างขา P=7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3K560KD1IESLBQ6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะห่างขา P=7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3K560KD1IESLBQ6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะห่างขา P=7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3K560KD1IESLBQ6100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะห่างขา P=7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5