All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB472J100V82CB0241ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 4.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB472J100V82CB0241ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 4.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB472J100V82CB0241ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 4.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB472J100V82CB0241ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 4.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB472J100V82CB0241ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 4.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB472J100V82CB0241ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 4.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB472J100V82CB0241ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 4.7nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿0.9633-3.54

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น HY2G330M130210CD288 ขนาด D13xL21 มม. 33uF 20% 400V 335mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น HY2G330M130210CD288 ขนาด D13xL21 มม. 33uF 20% 400V 335mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น HY2G330M130210CD288 ขนาด D13xL21 มม. 33uF 20% 400V 335mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น HY2G330M130210CD288 ขนาด D13xL21 มม. 33uF 20% 400V 335mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น HY2G330M130210CD288 ขนาด D13xL21 มม. 33uF 20% 400V 335mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น HY2G330M130210CD288 ขนาด D13xL21 มม. 33uF 20% 400V 335mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น HY2G330M130210CD288 ขนาด D13xL21 มม. 33uF 20% 400V 335mA-100kHz

฿4.82-18.95

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22E473KJ135095075040EOJ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 47nF 10% โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ250V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22E473KJ135095075040EOJ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 47nF 10% โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ250V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22E473KJ135095075040EOJ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 47nF 10% โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ250V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22E473KJ135095075040EOJ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 47nF 10% โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ250V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22E473KJ135095075040EOJ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 47nF 10% โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ250V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22E473KJ135095075040EOJ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 47nF 10% โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ250V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22E473KJ135095075040EOJ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 7.5มม. 47nF 10% โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ250V

฿0.9633-4.18

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP85-154K630VDCP10C3 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 150nF 10% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

฿0.6422-2.89

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEF0J470AR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 6.3V กระแสไฟ 71.25mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEF0J470AR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 6.3V กระแสไฟ 71.25mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEF0J470AR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 6.3V กระแสไฟ 71.25mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEF0J470AR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 6.3V กระแสไฟ 71.25mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEF0J470AR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 6.3V กระแสไฟ 71.25mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEF0J470AR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 6.3V กระแสไฟ 71.25mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEF0J470AR ขนาด D5xL5.4 มม. ความจุ 47uF 20% แรงดัน 6.3V กระแสไฟ 71.25mA-120Hz

฿4.18-16.06

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุ35SEV4R7M4X5.5อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.5mm 4.7uF 20% 35V 18mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ35SEV4R7M4X5.5อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.5mm 4.7uF 20% 35V 18mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ35SEV4R7M4X5.5อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.5mm 4.7uF 20% 35V 18mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ35SEV4R7M4X5.5อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.5mm 4.7uF 20% 35V 18mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ35SEV4R7M4X5.5อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.5mm 4.7uF 20% 35V 18mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ35SEV4R7M4X5.5อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.5mm 4.7uF 20% 35V 18mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ35SEV4R7M4X5.5อลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD D4xL5.5mm 4.7uF 20% 35V 18mA-120Hz

฿1.61-6.43

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A222JD2TAAA4JA แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A222JD2TAAA4JA แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A222JD2TAAA4JA แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A222JD2TAAA4JA แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A222JD2TAAA4JA แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A222JD2TAAA4JA แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม W242A222JD2TAAA4JA แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 100V ผลิตจากโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿0.9633-3.54

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 450V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 450V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 450V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 450V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 450V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 450V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF103K2L3AS3032A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 10nF 10% 450V

฿0.9633-3.22

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น