All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VZH471M1HTR-1616, ขนาด D16xL16.5 มม. ความจุ 470uF 20% 50V ขา 16 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VZH471M1HTR-1616, ขนาด D16xL16.5 มม. ความจุ 470uF 20% 50V ขา 16 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VZH471M1HTR-1616, ขนาด D16xL16.5 มม. ความจุ 470uF 20% 50V ขา 16 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VZH471M1HTR-1616, ขนาด D16xL16.5 มม. ความจุ 470uF 20% 50V ขา 16 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VZH471M1HTR-1616, ขนาด D16xL16.5 มม. ความจุ 470uF 20% 50V ขา 16 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VZH471M1HTR-1616, ขนาด D16xL16.5 มม. ความจุ 470uF 20% 50V ขา 16 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VZH471M1HTR-1616, ขนาด D16xL16.5 มม. ความจุ 470uF 20% 50V ขา 16 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L2P2104KN1A0120100050EOZ ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 275V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A103JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 10nF 5% 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A103JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 10nF 5% 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A103JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 10nF 5% 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A103JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 10nF 5% 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A103JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 10nF 5% 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A103JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 10nF 5% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A103JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 10nF 5% 100V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYGNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYGNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYGNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYGNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYGNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYGNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYGNA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 100pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J1KVDCP15D3ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 1kV โพลีโพรพิลีน - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J1KVDCP15D3ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 1kV โพลีโพรพิลีน - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J1KVDCP15D3ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 1kV โพลีโพรพิลีน - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J1KVDCP15D3ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 1kV โพลีโพรพิลีน - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J1KVDCP15D3ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 1kV โพลีโพรพิลีน - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J1KVDCP15D3ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 1kV โพลีโพรพิลีน - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม JWMPP92-823J1KVDCP15D3ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 15มม. 82nF 5% 1kV โพลีโพรพิลีน

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAH221UAP, ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAH221UAP, ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAH221UAP, ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAH221UAP, ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAH221UAP, ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAH221UAP, ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 50V 150mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHAH221UAP, ขนาด D10xL10.2 มม. 220uF 20% 50V 150mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L2P2154KQ1A0170110060EOZ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 150nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 275V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10