All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น RVT1H331M1010 330UF 50V ขนาด D10xL10.2 มม. ความคลาดเคลื่อน 20% อายุการใช้งาน 2800 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น RVT1H331M1010 330UF 50V ขนาด D10xL10.2 มม. ความคลาดเคลื่อน 20% อายุการใช้งาน 2800 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น RVT1H331M1010 330UF 50V ขนาด D10xL10.2 มม. ความคลาดเคลื่อน 20% อายุการใช้งาน 2800 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น RVT1H331M1010 330UF 50V ขนาด D10xL10.2 มม. ความคลาดเคลื่อน 20% อายุการใช้งาน 2800 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น RVT1H331M1010 330UF 50V ขนาด D10xL10.2 มม. ความคลาดเคลื่อน 20% อายุการใช้งาน 2800 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น RVT1H331M1010 330UF 50V ขนาด D10xL10.2 มม. ความคลาดเคลื่อน 20% อายุการใช้งาน 2800 ชั่วโมง-105 ℃ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น RVT1H331M1010 330UF 50V ขนาด D10xL10.2 มม. ความคลาดเคลื่อน 20% อายุการใช้งาน 2800 ชั่วโมง-105 ℃

฿1.93-8.35

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15B4E472KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15B4E472KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15B4E472KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15B4E472KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15B4E472KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15B4E472KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 2kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น R15B4E472KN0B0S0N0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF 10% 2kV 7.5 มม.

฿3.22-12.85

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06F2E222MA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06F2E222MA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06F2E222MA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06F2E222MA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06F2E222MA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06F2E222MA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R06F2E222MA5B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿0.6422-3.22

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5P1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5P1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5P1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5P1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5P1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5P1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZC1ED3F5P1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 50V 5.08 มม.

฿0.3211-0.9633

สั่งขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม R82EC2470DQ60J ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม R82EC2470DQ60J ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม R82EC2470DQ60J ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม R82EC2470DQ60J ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม R82EC2470DQ60J ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม R82EC2470DQ60J ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม R82EC2470DQ60J ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 47nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿1.93-7.39

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV103M105E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV103M105E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV103M105E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV103M105E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV103M105E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV103M105E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81Y5V2KV103M105E ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม.

฿0.6422-3.22

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบสแนปทุกรุ่น25V 35V 63V 80V 200V 250V 400V 450V 500V 1-68000uF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบสแนปทุกรุ่น25V 35V 63V 80V 200V 250V 400V 450V 500V 1-68000uF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบสแนปทุกรุ่น25V 35V 63V 80V 200V 250V 400V 450V 500V 1-68000uF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบสแนปทุกรุ่น25V 35V 63V 80V 200V 250V 400V 450V 500V 1-68000uF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบสแนปทุกรุ่น25V 35V 63V 80V 200V 250V 400V 450V 500V 1-68000uF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบสแนปทุกรุ่น25V 35V 63V 80V 200V 250V 400V 450V 500V 1-68000uF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบสแนปทุกรุ่น25V 35V 63V 80V 200V 250V 400V 450V 500V 1-68000uF

฿3.22-9.64

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุ UMK325AB106KM-P 10F 50V X7R 10% SMD MLCC - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ UMK325AB106KM-P 10F 50V X7R 10% SMD MLCC - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ UMK325AB106KM-P 10F 50V X7R 10% SMD MLCC - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ UMK325AB106KM-P 10F 50V X7R 10% SMD MLCC - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ UMK325AB106KM-P 10F 50V X7R 10% SMD MLCC

฿1,834.96

สั่งขั้นต่ำ: 1 ม้วน