All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Yageo ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติก12.5x25มม. 100uF 100V สำหรับตัวอย่าง Boards_free PLC - Product Image 1

Yageo ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติก12.5x25มม. 100uF 100V สำหรับตัวอย่าง Boards_free PLC - Product Image 2

Yageo ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติก12.5x25มม. 100uF 100V สำหรับตัวอย่าง Boards_free PLC - Product Image 3

Yageo ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติก12.5x25มม. 100uF 100V สำหรับตัวอย่าง Boards_free PLC - Product Image 4

Yageo ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติก12.5x25มม. 100uF 100V สำหรับตัวอย่าง Boards_free PLC - Product Image 5

Yageo ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติก12.5x25มม. 100uF 100V สำหรับตัวอย่าง Boards_free PLC - Product Image 6

Yageo ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติก12.5x25มม. 100uF 100V สำหรับตัวอย่าง Boards_free PLC

฿0.3211-0.6422

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น S08S1E250KN0B0S0N0, ระยะขา (P) 7.5 มม., ความจุ 25pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 3kV, ขนาด 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น S08S1E250KN0B0S0N0, ระยะขา (P) 7.5 มม., ความจุ 25pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 3kV, ขนาด 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น S08S1E250KN0B0S0N0, ระยะขา (P) 7.5 มม., ความจุ 25pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 3kV, ขนาด 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น S08S1E250KN0B0S0N0, ระยะขา (P) 7.5 มม., ความจุ 25pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 3kV, ขนาด 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น S08S1E250KN0B0S0N0, ระยะขา (P) 7.5 มม., ความจุ 25pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 3kV, ขนาด 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น S08S1E250KN0B0S0N0, ระยะขา (P) 7.5 มม., ความจุ 25pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 3kV, ขนาด 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (Through-Hole) รุ่น S08S1E250KN0B0S0N0, ระยะขา (P) 7.5 มม., ความจุ 25pF, ค่าความคลาดเคลื่อน 10%, แรงดัน 3kV, ขนาด 7.5 มม.

฿0.9633-3.54

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A153KD1B2070060035EOJ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 15nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A153KD1B2070060035EOJ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 15nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A153KD1B2070060035EOJ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 15nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A153KD1B2070060035EOJ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 15nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A153KD1B2070060035EOJ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 15nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A153KD1B2070060035EOJ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 15nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม LX2A153KD1B2070060035EOJ แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5 มม. 15nF 10% 100V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿1.29-5.46

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB684J100V82CB0240ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 680nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB684J100V82CB0240ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 680nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB684J100V82CB0240ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 680nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB684J100V82CB0240ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 680nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB684J100V82CB0240ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 680nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB684J100V82CB0240ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 680nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB684J100V82CB0240ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 680nF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿2.57-10.60

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08S1E250JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 25pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08S1E250JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 25pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08S1E250JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 25pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08S1E250JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 25pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08S1E250JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 25pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08S1E250JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 25pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S08S1E250JN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 25pF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿0.9633-3.54

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 561R1DF0D22 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=6.4 มม. ความจุ 2.2nF ความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ขนาดขา 6.4 มม.

฿32.43-118.80

สั่งขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A471J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 470pF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A471J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 470pF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A471J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 470pF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A471J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 470pF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A471J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 470pF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A471J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 470pF 5% 100V โพลีเอสเตอร์ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C242A471J20C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5mm 470pF 5% 100V โพลีเอสเตอร์

฿4.50-17.34

สั่งขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD332KYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD332KYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD332KYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD332KYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD332KYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD332KYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3AD332KYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿1.29-5.14

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น