All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6FL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A153JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 15nF 5% 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A153JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 15nF 5% 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A153JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 15nF 5% 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A153JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 15nF 5% 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A153JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 15nF 5% 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A153JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 15nF 5% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม CFK2A153JC1F7B04UA00ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5.08มม. 15nF 5% 100V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6JL5A0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6JL5A0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6JL5A0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6JL5A0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6JL5A0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6JL5A0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH222K36Y5PN6JL5A0 ชนิด Through-Hole (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู H222K35X7RN63J5R ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู H222K35X7RN63J5R ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู H222K35X7RN63J5R ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู H222K35X7RN63J5R ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู H222K35X7RN63J5R ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู H222K35X7RN63J5R ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู H222K35X7RN63J5R ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT)

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-273J630VDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 27nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-273J630VDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 27nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-273J630VDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 27nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-273J630VDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 27nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-273J630VDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 27nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-273J630VDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 27nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม JWMPP92-273J630VDCP10C2 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 27nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 630V ผลิตจากโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103ZYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103ZYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103ZYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103ZYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103ZYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103ZYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3AD103ZYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 1kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF333J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 33nF 5% 400V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF333J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 33nF 5% 400V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF333J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 33nF 5% 400V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF333J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 33nF 5% 400V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF333J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 33nF 5% 400V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF333J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 33nF 5% 400V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF333J2G3AS3031A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 33nF 5% 400V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF513K2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 51nF 10% 450V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF513K2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 51nF 10% 450V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF513K2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 51nF 10% 450V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF513K2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 51nF 10% 450V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF513K2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 51nF 10% 450V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF513K2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 51nF 10% 450V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEF513K2L3AS3035A1ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 7.5มม. 51nF 10% 450V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10