All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ไฟหน้าภายในด้านหลังขวาสำหรับ Opel Astra J 2009-2015 (40274 F-10-G-1) ผลิตในอิตาลี - Product Image 1

ไฟหน้าภายในด้านหลังขวาสำหรับ Opel Astra J 2009-2015 (40274 F-10-G-1) ผลิตในอิตาลี

฿1,781.23
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CARS SRL
1 yrsIT flagIT4.3/5.0(6)
GRM21BR70J106KE76(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM21BR70J106KE76 - Product Image 1
GRM21BR70J106KE76(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM21BR70J106KE76 - Product Image 2
GRM21BR70J106KE76(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM21BR70J106KE76 - Product Image 3
GRM21BR70J106KE76(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM21BR70J106KE76 - Product Image 4
GRM21BR70J106KE76(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM21BR70J106KE76 - Product Image 5
GRM21BR70J106KE76(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM21BR70J106KE76 - Product Image 6

GRM21BR70J106KE76(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X7R 125 10uF GRM21BR70J106KE76

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM21BC71E106ME01 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC71E106ME01 - Product Image 1
GRM21BC71E106ME01 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC71E106ME01 - Product Image 2
GRM21BC71E106ME01 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC71E106ME01 - Product Image 3
GRM21BC71E106ME01 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC71E106ME01 - Product Image 4
GRM21BC71E106ME01 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC71E106ME01 - Product Image 5
GRM21BC71E106ME01 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC71E106ME01 - Product Image 6

GRM21BC71E106ME01 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0805 10 F 25Vdc ±20% X7S 125 10uF GRM21BC71E106ME01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
C2012X7S1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AE - Product Image 1
C2012X7S1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AE - Product Image 2
C2012X7S1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AE - Product Image 3
C2012X7S1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AE - Product Image 4
C2012X7S1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AE - Product Image 5
C2012X7S1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AE - Product Image 6

C2012X7S1C106K สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0805 10 F 16V ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AE

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRT155C80J106ME13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT155C80J106ME13 - Product Image 1
GRT155C80J106ME13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT155C80J106ME13 - Product Image 2
GRT155C80J106ME13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT155C80J106ME13 - Product Image 3
GRT155C80J106ME13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT155C80J106ME13 - Product Image 4
GRT155C80J106ME13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT155C80J106ME13 - Product Image 5
GRT155C80J106ME13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT155C80J106ME13 - Product Image 6

GRT155C80J106ME13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT155C80J106ME13

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM219B30J106KE18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 1
GRM219B30J106KE18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 2
GRM219B30J106KE18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 3
GRM219B30J106KE18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 4
GRM219B30J106KE18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 5
GRM219B30J106KE18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 6

GRM219B30J106KE18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRJ31CR61E106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRJ31CR61E106KE11 - Product Image 1
GRJ31CR61E106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRJ31CR61E106KE11 - Product Image 2
GRJ31CR61E106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRJ31CR61E106KE11 - Product Image 3
GRJ31CR61E106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRJ31CR61E106KE11 - Product Image 4
GRJ31CR61E106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRJ31CR61E106KE11 - Product Image 5
GRJ31CR61E106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRJ31CR61E106KE11 - Product Image 6

GRJ31CR61E106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X5R 85 10uF GRJ31CR61E106KE11

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
C1608X5R0J106K080AE (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0603 10 F 6.3V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R0J106K080AE - Product Image 1
C1608X5R0J106K080AE (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0603 10 F 6.3V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R0J106K080AE - Product Image 2
C1608X5R0J106K080AE (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0603 10 F 6.3V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R0J106K080AE - Product Image 3
C1608X5R0J106K080AE (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0603 10 F 6.3V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R0J106K080AE - Product Image 4
C1608X5R0J106K080AE (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0603 10 F 6.3V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R0J106K080AE - Product Image 5
C1608X5R0J106K080AE (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0603 10 F 6.3V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R0J106K080AE - Product Image 6

C1608X5R0J106K080AE (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0603 10 F 6.3V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C1608X5R0J106K080AE

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)