All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

มอเตอร์ซันรูฟ 93BGA53508AC ฟอร์ด เอสคอร์ท เอ็มเค4 รุ่นปรับโฉม 92-95 (36709 D-2-F-10) - Product Image 1

มอเตอร์ซันรูฟ 93BGA53508AC ฟอร์ด เอสคอร์ท เอ็มเค4 รุ่นปรับโฉม 92-95 (36709 D-2-F-10)

฿1,670.40
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CARS SRL
1 yrsIT flagIT4.3/5.0(6)
CNC6P1X7R1H106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC6P1X7R1H106K250AE - Product Image 1
CNC6P1X7R1H106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC6P1X7R1H106K250AE - Product Image 2
CNC6P1X7R1H106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC6P1X7R1H106K250AE - Product Image 3
CNC6P1X7R1H106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC6P1X7R1H106K250AE - Product Image 4
CNC6P1X7R1H106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC6P1X7R1H106K250AE - Product Image 5
CNC6P1X7R1H106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC6P1X7R1H106K250AE - Product Image 6

CNC6P1X7R1H106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1210 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CNC6P1X7R1H106K250AE

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRT188C81C106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81C106ME13 - Product Image 1
GRT188C81C106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81C106ME13 - Product Image 2
GRT188C81C106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81C106ME13 - Product Image 3
GRT188C81C106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81C106ME13 - Product Image 4
GRT188C81C106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81C106ME13 - Product Image 5
GRT188C81C106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81C106ME13 - Product Image 6

GRT188C81C106ME13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81C106ME13

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 1
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 2
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 3
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 4
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 5
GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11 - Product Image 6

GRJ31CR71C106ME11 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% X7R 125 10uF GRJ31CR71C106ME11

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
ZRA21MC80J106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 1
ZRA21MC80J106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 2
ZRA21MC80J106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 3
ZRA21MC80J106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 4
ZRA21MC80J106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 5
ZRA21MC80J106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11 - Product Image 6

ZRA21MC80J106KE11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106KE11

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
ZRB18AC81C106ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81C106ME01 - Product Image 1
ZRB18AC81C106ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81C106ME01 - Product Image 2
ZRB18AC81C106ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81C106ME01 - Product Image 3
ZRB18AC81C106ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81C106ME01 - Product Image 4
ZRB18AC81C106ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81C106ME01 - Product Image 5
ZRB18AC81C106ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81C106ME01 - Product Image 6

ZRB18AC81C106ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 10 F 16Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81C106ME01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRJ155R60J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRJ155R60J106ME11 - Product Image 1
GRJ155R60J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRJ155R60J106ME11 - Product Image 2
GRJ155R60J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRJ155R60J106ME11 - Product Image 3
GRJ155R60J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRJ155R60J106ME11 - Product Image 4
GRJ155R60J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRJ155R60J106ME11 - Product Image 5
GRJ155R60J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRJ155R60J106ME11 - Product Image 6

GRJ155R60J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 0402 10 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 10uF GRJ155R60J106ME11

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM32EC72A106KE05 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 10uF GRM32EC72A106KE05 - Product Image 1
GRM32EC72A106KE05 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 10uF GRM32EC72A106KE05 - Product Image 2
GRM32EC72A106KE05 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 10uF GRM32EC72A106KE05 - Product Image 3
GRM32EC72A106KE05 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 10uF GRM32EC72A106KE05 - Product Image 4
GRM32EC72A106KE05 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 10uF GRM32EC72A106KE05 - Product Image 5
GRM32EC72A106KE05 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 10uF GRM32EC72A106KE05 - Product Image 6

GRM32EC72A106KE05 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ±10% X7S 125 10uF GRM32EC72A106KE05

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)