All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GCM32EC71H106KA03(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC71H106KA03 - Product Image 1
GCM32EC71H106KA03(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC71H106KA03 - Product Image 2
GCM32EC71H106KA03(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC71H106KA03 - Product Image 3
GCM32EC71H106KA03(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC71H106KA03 - Product Image 4
GCM32EC71H106KA03(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC71H106KA03 - Product Image 5
GCM32EC71H106KA03(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC71H106KA03 - Product Image 6

GCM32EC71H106KA03(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 10 F 50Vdc ±10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC71H106KA03

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
มือจับประตูหลังขวา SA830018 สำหรับนิสสัน พรีเมียร่า P11 96-02 (36872 B-12-F-10) ผลิตในอิตาลี - Product Image 1

มือจับประตูหลังขวา SA830018 สำหรับนิสสัน พรีเมียร่า P11 96-02 (36872 B-12-F-10) ผลิตในอิตาลี

฿817.04
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CARS SRL
1 yrsIT flagIT4.3/5.0(6)
Nissan Note 2004-แผ่นปิดถังน้ำมันพร้อมฝาปิดปรับแต่งชิ้นส่วนภายในและภายนอก (15374 20B-4-F-10) - Product Image 1

Nissan Note 2004-แผ่นปิดถังน้ำมันพร้อมฝาปิดปรับแต่งชิ้นส่วนภายในและภายนอก (15374 20B-4-F-10)

฿915.39
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CARS SRL
1 yrsIT flagIT4.3/5.0(6)
C3225X8R1C106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AD - Product Image 1
C3225X8R1C106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AD - Product Image 2
C3225X8R1C106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AD - Product Image 3
C3225X8R1C106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AD - Product Image 4
C3225X8R1C106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AD - Product Image 5
C3225X8R1C106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AD - Product Image 6

C3225X8R1C106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106K250AD

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว10 uF 20% 63V SMD AVGA106M63D16T-F 10 uF - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว10 uF 20% 63V SMD AVGA106M63D16T-F 10 uF - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว10 uF 20% 63V SMD AVGA106M63D16T-F 10 uF - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว10 uF 20% 63V SMD AVGA106M63D16T-F 10 uF - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว10 uF 20% 63V SMD AVGA106M63D16T-F 10 uF - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว10 uF 20% 63V SMD AVGA106M63D16T-F 10 uF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบยึดพื้นผิว10 uF 20% 63V SMD AVGA106M63D16T-F 10 uF

฿1.38-2.76
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
UNITE CHANCE CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK5.0/5.0(1)
GRM43DR61E106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1812 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM43DR61E106MA12 - Product Image 1
GRM43DR61E106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1812 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM43DR61E106MA12 - Product Image 2
GRM43DR61E106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1812 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM43DR61E106MA12 - Product Image 3
GRM43DR61E106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1812 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM43DR61E106MA12 - Product Image 4
GRM43DR61E106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1812 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM43DR61E106MA12 - Product Image 5
GRM43DR61E106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1812 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM43DR61E106MA12 - Product Image 6

GRM43DR61E106MA12 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 1812 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM43DR61E106MA12

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GCM32EC7YA106MA03 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 1
GCM32EC7YA106MA03 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 2
GCM32EC7YA106MA03 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 3
GCM32EC7YA106MA03 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 4
GCM32EC7YA106MA03 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 5
GCM32EC7YA106MA03 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03 - Product Image 6

GCM32EC7YA106MA03 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1210 10 F 35Vdc ±20% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCM32EC7YA106MA03

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
C3216X5R1V106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 35V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1V106M160AB - Product Image 1
C3216X5R1V106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 35V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1V106M160AB - Product Image 2
C3216X5R1V106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 35V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1V106M160AB - Product Image 3
C3216X5R1V106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 35V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1V106M160AB - Product Image 4
C3216X5R1V106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 35V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1V106M160AB - Product Image 5
C3216X5R1V106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 35V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1V106M160AB - Product Image 6

C3216X5R1V106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 10 F 35V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L3X5R1V106M160AB

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)