All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

มือจับประตูหน้าซ้าย Kia Carnival Mk1 ปี 98-06 รุ่น 20484 20G-4-F-10 ผลิตในอิตาลี - Product Image 1

มือจับประตูหน้าซ้าย Kia Carnival Mk1 ปี 98-06 รุ่น 20484 20G-4-F-10 ผลิตในอิตาลี

฿878.70
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CARS SRL
1 yrsIT flagIT4.3/5.0(6)
ZRB21CR61H106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 50Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106ME01 - Product Image 1
ZRB21CR61H106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 50Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106ME01 - Product Image 2
ZRB21CR61H106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 50Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106ME01 - Product Image 3
ZRB21CR61H106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 50Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106ME01 - Product Image 4
ZRB21CR61H106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 50Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106ME01 - Product Image 5
ZRB21CR61H106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 50Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106ME01 - Product Image 6

ZRB21CR61H106ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 50Vdc ±20% X5R 85 10uF ZRB21CR61H106ME01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM31MB31C106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31MB31C106MA12 - Product Image 1
GRM31MB31C106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31MB31C106MA12 - Product Image 2
GRM31MB31C106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31MB31C106MA12 - Product Image 3
GRM31MB31C106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31MB31C106MA12 - Product Image 4
GRM31MB31C106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31MB31C106MA12 - Product Image 5
GRM31MB31C106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31MB31C106MA12 - Product Image 6

GRM31MB31C106MA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31MB31C106MA12

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRT32DR61C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT32DR61C106ME01 - Product Image 1
GRT32DR61C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT32DR61C106ME01 - Product Image 2
GRT32DR61C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT32DR61C106ME01 - Product Image 3
GRT32DR61C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT32DR61C106ME01 - Product Image 4
GRT32DR61C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT32DR61C106ME01 - Product Image 5
GRT32DR61C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT32DR61C106ME01 - Product Image 6

GRT32DR61C106ME01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 16Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT32DR61C106ME01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
CNA5L1X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 1206 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1C106K160AE - Product Image 1
CNA5L1X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 1206 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1C106K160AE - Product Image 2
CNA5L1X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 1206 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1C106K160AE - Product Image 3
CNA5L1X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 1206 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1C106K160AE - Product Image 4
CNA5L1X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 1206 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1C106K160AE - Product Image 5
CNA5L1X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 1206 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1C106K160AE - Product Image 6

CNA5L1X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 1206 10 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CNA5L1X7R1C106K160AE

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 1
GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 2
GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 3
GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 4
GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 5
GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 6

GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
C3225X8R1C106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AE - Product Image 1
C3225X8R1C106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AE - Product Image 2
C3225X8R1C106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AE - Product Image 3
C3225X8R1C106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AE - Product Image 4
C3225X8R1C106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AE - Product Image 5
C3225X8R1C106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AE - Product Image 6

C3225X8R1C106K250AE (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AE

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
มอเตอร์ซันรูฟ 93BGA53508AC ฟอร์ด เอสคอร์ท เอ็มเค4 รุ่นปรับโฉม 92-95 (36709 D-2-F-10) - Product Image 1

มอเตอร์ซันรูฟ 93BGA53508AC ฟอร์ด เอสคอร์ท เอ็มเค4 รุ่นปรับโฉม 92-95 (36709 D-2-F-10)

฿1,670.40
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CARS SRL
1 yrsIT flagIT4.3/5.0(6)