All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GCM31CM8EG106KE08 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM31CM8EG106KE08 - Product Image 1
GCM31CM8EG106KE08 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM31CM8EG106KE08 - Product Image 2
GCM31CM8EG106KE08 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM31CM8EG106KE08 - Product Image 3
GCM31CM8EG106KE08 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM31CM8EG106KE08 - Product Image 4
GCM31CM8EG106KE08 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM31CM8EG106KE08 - Product Image 5
GCM31CM8EG106KE08 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM31CM8EG106KE08 - Product Image 6

GCM31CM8EG106KE08 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 35Vdc ±10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM31CM8EG106KE08

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM32DR11C106KA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 1
GRM32DR11C106KA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 2
GRM32DR11C106KA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 3
GRM32DR11C106KA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 4
GRM32DR11C106KA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 5
GRM32DR11C106KA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01 - Product Image 6

GRM32DR11C106KA01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1210 10 F 16Vdc ±10% R 125 10uF GRM32DR11C106KA01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM32ER61H106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER61H106KA12 - Product Image 1
GRM32ER61H106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER61H106KA12 - Product Image 2
GRM32ER61H106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER61H106KA12 - Product Image 3
GRM32ER61H106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER61H106KA12 - Product Image 4
GRM32ER61H106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER61H106KA12 - Product Image 5
GRM32ER61H106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER61H106KA12 - Product Image 6

GRM32ER61H106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM32ER61H106KA12

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
C2012X5R1H106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0805 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1H106K125AC - Product Image 1
C2012X5R1H106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0805 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1H106K125AC - Product Image 2
C2012X5R1H106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0805 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1H106K125AC - Product Image 3
C2012X5R1H106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0805 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1H106K125AC - Product Image 4
C2012X5R1H106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0805 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1H106K125AC - Product Image 5
C2012X5R1H106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0805 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1H106K125AC - Product Image 6

C2012X5R1H106K125AC (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 0805 10 F 50V ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C2012X5R1H106K125AC

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM188B30J106ME84 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 1
GRM188B30J106ME84 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 2
GRM188B30J106ME84 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 3
GRM188B30J106ME84 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 4
GRM188B30J106ME84 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 5
GRM188B30J106ME84 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 6

GRM188B30J106ME84 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
GRM319C81C106KA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM319C81C106KA12 - Product Image 1
GRM319C81C106KA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM319C81C106KA12 - Product Image 2
GRM319C81C106KA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM319C81C106KA12 - Product Image 3
GRM319C81C106KA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM319C81C106KA12 - Product Image 4
GRM319C81C106KA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM319C81C106KA12 - Product Image 5
GRM319C81C106KA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM319C81C106KA12 - Product Image 6

GRM319C81C106KA12(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM319C81C106KA12

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 1
C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 2
C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 3
C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 4
C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 5
C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 6

C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)
KCM55TR72A106MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 10 ฟิวส์ 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 1
KCM55TR72A106MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 10 ฟิวส์ 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 2
KCM55TR72A106MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 10 ฟิวส์ 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 3
KCM55TR72A106MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 10 ฟิวส์ 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 4
KCM55TR72A106MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 10 ฟิวส์ 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 5
KCM55TR72A106MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 10 ฟิวส์ 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 6

KCM55TR72A106MH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 10 ฟิวส์ 100Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(615)