All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

F 10

(มีสินค้า 999+ รายการ)

C3216X7R1H106K160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1H106K160AC - Product Image 1
C3216X7R1H106K160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1H106K160AC - Product Image 2
C3216X7R1H106K160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1H106K160AC - Product Image 3
C3216X7R1H106K160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1H106K160AC - Product Image 4
C3216X7R1H106K160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1H106K160AC - Product Image 5
C3216X7R1H106K160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1H106K160AC - Product Image 6

C3216X7R1H106K160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 10 F 50V ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF C3216X7R1H106K160AC

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(622)
GRM188C80G106ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM188C80G106ME47 - Product Image 1
GRM188C80G106ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM188C80G106ME47 - Product Image 2
GRM188C80G106ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM188C80G106ME47 - Product Image 3
GRM188C80G106ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM188C80G106ME47 - Product Image 4
GRM188C80G106ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM188C80G106ME47 - Product Image 5
GRM188C80G106ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM188C80G106ME47 - Product Image 6

GRM188C80G106ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0603 10 F 4Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM188C80G106ME47

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(622)
KCM55QR71J106KH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 63Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71J106KH01 - Product Image 1
KCM55QR71J106KH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 63Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71J106KH01 - Product Image 2
KCM55QR71J106KH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 63Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71J106KH01 - Product Image 3
KCM55QR71J106KH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 63Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71J106KH01 - Product Image 4
KCM55QR71J106KH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 63Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71J106KH01 - Product Image 5
KCM55QR71J106KH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 63Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71J106KH01 - Product Image 6

KCM55QR71J106KH01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 63Vdc ±10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55QR71J106KH01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(622)
C3225X8R1E106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AC - Product Image 1
C3225X8R1E106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AC - Product Image 2
C3225X8R1E106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AC - Product Image 3
C3225X8R1E106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AC - Product Image 4
C3225X8R1E106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AC - Product Image 5
C3225X8R1E106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AC - Product Image 6

C3225X8R1E106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1E106K250AC

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(622)
GCG32EL8EH106KA07 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCG32EL8EH106KA07 - Product Image 1
GCG32EL8EH106KA07 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCG32EL8EH106KA07 - Product Image 2
GCG32EL8EH106KA07 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCG32EL8EH106KA07 - Product Image 3
GCG32EL8EH106KA07 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCG32EL8EH106KA07 - Product Image 4
GCG32EL8EH106KA07 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCG32EL8EH106KA07 - Product Image 5
GCG32EL8EH106KA07 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCG32EL8EH106KA07 - Product Image 6

GCG32EL8EH106KA07 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 50Vdc ±10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCG32EL8EH106KA07

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(622)
GRT31CR61A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 1
GRT31CR61A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 2
GRT31CR61A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 3
GRT31CR61A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 4
GRT31CR61A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 5
GRT31CR61A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01 - Product Image 6

GRT31CR61A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT31CR61A106ME01

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(622)
เข็มขัดนิรภัยด้านหน้าซ้ายของรถแลนด์โรเวอร์ เรนจ์โรเวอร์ Mk2 (42363 F-10-D-1) - Product Image 1

เข็มขัดนิรภัยด้านหน้าซ้ายของรถแลนด์โรเวอร์ เรนจ์โรเวอร์ Mk2 (42363 F-10-D-1)

฿1,410.16
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CARS SRL
1 yrsIT flagIT4.3/5.0(6)
GRM31MC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM31MC81E106KA12 - Product Image 1
GRM31MC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM31MC81E106KA12 - Product Image 2
GRM31MC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM31MC81E106KA12 - Product Image 3
GRM31MC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM31MC81E106KA12 - Product Image 4
GRM31MC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM31MC81E106KA12 - Product Image 5
GRM31MC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM31MC81E106KA12 - Product Image 6

GRM31MC81E106KA12 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 25Vdc ±10% X6S 105 10uF GRM31MC81E106KA12

฿17.20-68.77
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
2 yrsHK flagHK4.6/5.0(622)