All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบยึดพื้นผิว MCAST32MSB7226KPNA01 TMK325B7226KMHP ยี่ห้อ Taiyo Yuden - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบยึดพื้นผิว MCAST32MSB7226KPNA01 TMK325B7226KMHP ยี่ห้อ Taiyo Yuden - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบยึดพื้นผิว MCAST32MSB7226KPNA01 TMK325B7226KMHP ยี่ห้อ Taiyo Yuden - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบยึดพื้นผิว MCAST32MSB7226KPNA01 TMK325B7226KMHP ยี่ห้อ Taiyo Yuden - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบยึดพื้นผิว MCAST32MSB7226KPNA01 TMK325B7226KMHP ยี่ห้อ Taiyo Yuden

฿3,508.48-3,660.61

MOQ: 10

GRM155R71C822KA01D ตัวเก็บประจุเซรามิก-8.2nF กรองวงจรเกรด25V - Product Image 1

GRM155R71C822KA01D ตัวเก็บประจุเซรามิก-8.2nF กรองวงจรเกรด25V - Product Image 2

GRM155R71C822KA01D ตัวเก็บประจุเซรามิก-8.2nF กรองวงจรเกรด25V - Product Image 3

GRM155R71C822KA01D ตัวเก็บประจุเซรามิก-8.2nF กรองวงจรเกรด25V - Product Image 4

GRM155R71C822KA01D ตัวเก็บประจุเซรามิก-8.2nF กรองวงจรเกรด25V - Product Image 5

GRM155R71C822KA01D ตัวเก็บประจุเซรามิก-8.2nF กรองวงจรเกรด25V - Product Image 6

GRM155R71C822KA01D ตัวเก็บประจุเซรามิก-8.2nF กรองวงจรเกรด25V

฿16.02

MOQ: 100

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-5.1pF-C แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 5.1pF 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-5.1pF-C แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 5.1pF 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-5.1pF-C แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 5.1pF 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-5.1pF-C แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 5.1pF 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-5.1pF-C แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 5.1pF 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-5.1pF-C แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 5.1pF 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CC4-0805-CG-100V-5.1pF-C แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 5.1pF 100V

฿1.29-6.09

MOQ: 10

Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 1

Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 2

Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 3

Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 4

Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 5

Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10% - Product Image 6

Taiyo Yuden TMK107B7105KA-T MSAST168SB7105KTNA01ไดอิเล็กทริกสูง SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 X7R 1uF 25V 10%

฿0.1185-0.3203

MOQ: 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-100V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-100V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-100V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-100V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-100V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-100V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-100V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 100V

฿8.33-32.35

MOQ: 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงโครงสร้างแพคเกจ0805 SMT 25V สำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงโครงสร้างแพคเกจ0805 SMT 25V สำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 2

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงโครงสร้างแพคเกจ0805 SMT 25V สำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 3

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงโครงสร้างแพคเกจ0805 SMT 25V สำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 4

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงโครงสร้างแพคเกจ0805 SMT 25V สำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูงโครงสร้างแพคเกจ0805 SMT 25V สำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป

฿0.3716-0.6406

MOQ: 30

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-63V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 63V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-63V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 63V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-63V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 63V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-63V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 63V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-63V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 63V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-63V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 63V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-1210-2X1-63V-1.0μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 1uF, 10%, 63V

฿6.09-24.34

MOQ: 5

TAIYO YUDEN MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน ขนาด 1206/3216 - Product Image 1

TAIYO YUDEN MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน ขนาด 1206/3216 - Product Image 2

TAIYO YUDEN MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน ขนาด 1206/3216 - Product Image 3

TAIYO YUDEN MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน ขนาด 1206/3216 - Product Image 4

TAIYO YUDEN MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน ขนาด 1206/3216 - Product Image 5

TAIYO YUDEN MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน ขนาด 1206/3216 - Product Image 6

TAIYO YUDEN MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน ขนาด 1206/3216

฿0.9865-1.29

MOQ: 20