All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Taiyo Yuden HMK325B7225KMHP MCASH32MSB7225KPNA01 SMT 1210/3225 X7R 100V 2.2uF 10% 1K /reel AEC-Q200ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น - Product Image 1

Taiyo Yuden HMK325B7225KMHP MCASH32MSB7225KPNA01 SMT 1210/3225 X7R 100V 2.2uF 10% 1K /reel AEC-Q200ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น - Product Image 2

Taiyo Yuden HMK325B7225KMHP MCASH32MSB7225KPNA01 SMT 1210/3225 X7R 100V 2.2uF 10% 1K /reel AEC-Q200ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น - Product Image 3

Taiyo Yuden HMK325B7225KMHP MCASH32MSB7225KPNA01 SMT 1210/3225 X7R 100V 2.2uF 10% 1K /reel AEC-Q200ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น - Product Image 4

Taiyo Yuden HMK325B7225KMHP MCASH32MSB7225KPNA01 SMT 1210/3225 X7R 100V 2.2uF 10% 1K /reel AEC-Q200ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

฿2,400.37-2,542.89

MOQ: 10

CL32B225KCJSNNE ตัวเก็บประจุเซรามิก2 U F 100 V X7R 1210ความต้านทานต่ำสำหรับการแยกบายพาสและการกรองรางไฟ - Product Image 1

CL32B225KCJSNNE ตัวเก็บประจุเซรามิก2 U F 100 V X7R 1210ความต้านทานต่ำสำหรับการแยกบายพาสและการกรองรางไฟ - Product Image 2

CL32B225KCJSNNE ตัวเก็บประจุเซรามิก2 U F 100 V X7R 1210ความต้านทานต่ำสำหรับการแยกบายพาสและการกรองรางไฟ - Product Image 3

CL32B225KCJSNNE ตัวเก็บประจุเซรามิก2 U F 100 V X7R 1210ความต้านทานต่ำสำหรับการแยกบายพาสและการกรองรางไฟ - Product Image 4

CL32B225KCJSNNE ตัวเก็บประจุเซรามิก2 U F 100 V X7R 1210ความต้านทานต่ำสำหรับการแยกบายพาสและการกรองรางไฟ - Product Image 5

CL32B225KCJSNNE ตัวเก็บประจุเซรามิก2 U F 100 V X7R 1210ความต้านทานต่ำสำหรับการแยกบายพาสและการกรองรางไฟ - Product Image 6

CL32B225KCJSNNE ตัวเก็บประจุเซรามิก2 U F 100 V X7R 1210ความต้านทานต่ำสำหรับการแยกบายพาสและการกรองรางไฟ

฿0.6406-1.29

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-100V-0.01μF-K แบบ Through-Hole ระยะขา P=5.08 มม. 10nF 10% 100V

฿1.29-5.13

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D104KE9BER1K100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D104KE9BER1K100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D104KE9BER1K100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D104KE9BER1K100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D104KE9BER1K100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D104KE9BER1K100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D104KE9BER1K100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=10 มม.

฿53.49-194.40

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-3300pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 3.3nF, 10%, 63V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-3300pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 3.3nF, 10%, 63V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-3300pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 3.3nF, 10%, 63V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-3300pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 3.3nF, 10%, 63V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-3300pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 3.3nF, 10%, 63V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-3300pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 3.3nF, 10%, 63V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-3300pF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 3.3nF, 10%, 63V

฿0.9608-3.21

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.01μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 10nF, 10%, 63V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.01μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 10nF, 10%, 63V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.01μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 10nF, 10%, 63V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.01μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 10nF, 10%, 63V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.01μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 10nF, 10%, 63V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.01μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 10nF, 10%, 63V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.01μF-K แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 10nF, 10%, 63V

฿0.9608-3.53

MOQ: 10

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MSASU21GBB7225KTNA01 UMK212BB7225KG-T 0805/2012 SMT ลักษณะการดูดซับเสียง - Product Image 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MSASU21GBB7225KTNA01 UMK212BB7225KG-T 0805/2012 SMT ลักษณะการดูดซับเสียง - Product Image 2

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MSASU21GBB7225KTNA01 UMK212BB7225KG-T 0805/2012 SMT ลักษณะการดูดซับเสียง - Product Image 3

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MSASU21GBB7225KTNA01 UMK212BB7225KG-T 0805/2012 SMT ลักษณะการดูดซับเสียง - Product Image 4

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MSASU21GBB7225KTNA01 UMK212BB7225KG-T 0805/2012 SMT ลักษณะการดูดซับเสียง - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MSASU21GBB7225KTNA01 UMK212BB7225KG-T 0805/2012 SMT ลักษณะการดูดซับเสียง - Product Image 6

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MSASU21GBB7225KTNA01 UMK212BB7225KG-T 0805/2012 SMT ลักษณะการดูดซับเสียง

฿0.8455-0.9608

MOQ: 30

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4G-0805-2X1-63V-0.1μF-J แบบ Through-Hole, ระยะขา P=5.08 มม., 100nF, 5%, 63V

฿3.21-12.82

MOQ: 5