All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูง Taiyo Yuden รุ่นเซรามิกหลายชั้น16V 47F 20% SMD 1206/3216 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูง Taiyo Yuden รุ่นเซรามิกหลายชั้น16V 47F 20% SMD 1206/3216 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูง Taiyo Yuden รุ่นเซรามิกหลายชั้น16V 47F 20% SMD 1206/3216 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูง Taiyo Yuden รุ่นเซรามิกหลายชั้น16V 47F 20% SMD 1206/3216 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูง Taiyo Yuden รุ่นเซรามิกหลายชั้น16V 47F 20% SMD 1206/3216 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแรงดันสูง Taiyo Yuden รุ่นเซรามิกหลายชั้น16V 47F 20% SMD 1206/3216

฿4,637.41-4,880.81

MOQ: 10

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน50V 2.2F SMT 0805แรงดันสูงความถี่สูงเพื่อความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน50V 2.2F SMT 0805แรงดันสูงความถี่สูงเพื่อความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 2

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน50V 2.2F SMT 0805แรงดันสูงความถี่สูงเพื่อความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 3

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน50V 2.2F SMT 0805แรงดันสูงความถี่สูงเพื่อความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 4

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน50V 2.2F SMT 0805แรงดันสูงความถี่สูงเพื่อความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน50V 2.2F SMT 0805แรงดันสูงความถี่สูงเพื่อความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น - Product Image 6

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน50V 2.2F SMT 0805แรงดันสูงความถี่สูงเพื่อความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้น

฿0.8455-0.9608

MOQ: 30

Taiyo Yuden 0805 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น25V 4.7F 10% 3000ชิ้นต่อม้วนสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 1

Taiyo Yuden 0805 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น25V 4.7F 10% 3000ชิ้นต่อม้วนสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 2

Taiyo Yuden 0805 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น25V 4.7F 10% 3000ชิ้นต่อม้วนสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 3

Taiyo Yuden 0805 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น25V 4.7F 10% 3000ชิ้นต่อม้วนสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 4

Taiyo Yuden 0805 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น25V 4.7F 10% 3000ชิ้นต่อม้วนสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 5

Taiyo Yuden 0805 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น25V 4.7F 10% 3000ชิ้นต่อม้วนสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป

฿1,114.52-1,162.56

MOQ: 10

MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน แบบ SMD 1206/3216 20% - Product Image 1

MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน แบบ SMD 1206/3216 20% - Product Image 2

MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน แบบ SMD 1206/3216 20% - Product Image 3

MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน แบบ SMD 1206/3216 20% - Product Image 4

MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน แบบ SMD 1206/3216 20% - Product Image 5

MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน แบบ SMD 1206/3216 20% - Product Image 6

MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น คุณสมบัติการดูดซับเสียงรบกวน แบบ SMD 1206/3216 20%

฿4,637.41-4,880.81

MOQ: 10

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 1

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 2

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 3

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 4

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 5

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 6

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V

฿1.33-2.54

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกความถี่สูง Taiyo Yuden 1206/3216 50V 10% รูปแบบการดูดซับเสียงที่ดีเยี่ยม - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกความถี่สูง Taiyo Yuden 1206/3216 50V 10% รูปแบบการดูดซับเสียงที่ดีเยี่ยม - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกความถี่สูง Taiyo Yuden 1206/3216 50V 10% รูปแบบการดูดซับเสียงที่ดีเยี่ยม - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกความถี่สูง Taiyo Yuden 1206/3216 50V 10% รูปแบบการดูดซับเสียงที่ดีเยี่ยม - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกความถี่สูง Taiyo Yuden 1206/3216 50V 10% รูปแบบการดูดซับเสียงที่ดีเยี่ยม - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกความถี่สูง Taiyo Yuden 1206/3216 50V 10% รูปแบบการดูดซับเสียงที่ดีเยี่ยม - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกความถี่สูง Taiyo Yuden 1206/3216 50V 10% รูปแบบการดูดซับเสียงที่ดีเยี่ยม

฿0.6406-0.9608

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกวงจรรวมดั้งเดิม CL10A106KP8NNNC X5R 0603 (1608เมตริก) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกวงจรรวมดั้งเดิม CL10A106KP8NNNC X5R 0603 (1608เมตริก) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกวงจรรวมดั้งเดิม CL10A106KP8NNNC X5R 0603 (1608เมตริก) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกวงจรรวมดั้งเดิม CL10A106KP8NNNC X5R 0603 (1608เมตริก) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกวงจรรวมดั้งเดิม CL10A106KP8NNNC X5R 0603 (1608เมตริก) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกวงจรรวมดั้งเดิม CL10A106KP8NNNC X5R 0603 (1608เมตริก) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกวงจรรวมดั้งเดิม CL10A106KP8NNNC X5R 0603 (1608เมตริก)

฿0.0289-0.0577

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-1206B475K250F3-Y แบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-1206B475K250F3-Y แบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-1206B475K250F3-Y แบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-1206B475K250F3-Y แบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-1206B475K250F3-Y แบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-1206B475K250F3-Y แบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CT4-1206B475K250F3-Y แบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 4.7uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10%

฿1.61-6.73

MOQ: 5