All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Taiyo Yuden JMK107B7225KAHTR MCASJ168SB7225KTNB25ตัวเก็บประจุเซรามิก SMT 0603 X7R 2.2uF 6.3V 10% aecq 4K/R -55C + 125C 0.9มม. - Product Image 1

Taiyo Yuden JMK107B7225KAHTR MCASJ168SB7225KTNB25ตัวเก็บประจุเซรามิก SMT 0603 X7R 2.2uF 6.3V 10% aecq 4K/R -55C + 125C 0.9มม. - Product Image 2

Taiyo Yuden JMK107B7225KAHTR MCASJ168SB7225KTNB25ตัวเก็บประจุเซรามิก SMT 0603 X7R 2.2uF 6.3V 10% aecq 4K/R -55C + 125C 0.9มม. - Product Image 3

Taiyo Yuden JMK107B7225KAHTR MCASJ168SB7225KTNB25ตัวเก็บประจุเซรามิก SMT 0603 X7R 2.2uF 6.3V 10% aecq 4K/R -55C + 125C 0.9มม. - Product Image 4

Taiyo Yuden JMK107B7225KAHTR MCASJ168SB7225KTNB25ตัวเก็บประจุเซรามิก SMT 0603 X7R 2.2uF 6.3V 10% aecq 4K/R -55C + 125C 0.9มม. - Product Image 5

Taiyo Yuden JMK107B7225KAHTR MCASJ168SB7225KTNB25ตัวเก็บประจุเซรามิก SMT 0603 X7R 2.2uF 6.3V 10% aecq 4K/R -55C + 125C 0.9มม. - Product Image 6

Taiyo Yuden JMK107B7225KAHTR MCASJ168SB7225KTNB25ตัวเก็บประจุเซรามิก SMT 0603 X7R 2.2uF 6.3V 10% aecq 4K/R -55C + 125C 0.9มม.

฿1,220.21-1,301.55

MOQ: 1

1210B106K500NT 10UF 50V X7R 1210ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCC) 10ความคลาดเคลื่อนในการแยกและกรองพลังงาน - Product Image 1

1210B106K500NT 10UF 50V X7R 1210ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCC) 10ความคลาดเคลื่อนในการแยกและกรองพลังงาน - Product Image 2

1210B106K500NT 10UF 50V X7R 1210ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCC) 10ความคลาดเคลื่อนในการแยกและกรองพลังงาน - Product Image 3

1210B106K500NT 10UF 50V X7R 1210ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCC) 10ความคลาดเคลื่อนในการแยกและกรองพลังงาน - Product Image 4

1210B106K500NT 10UF 50V X7R 1210ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCC) 10ความคลาดเคลื่อนในการแยกและกรองพลังงาน - Product Image 5

1210B106K500NT 10UF 50V X7R 1210ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCC) 10ความคลาดเคลื่อนในการแยกและกรองพลังงาน - Product Image 6

1210B106K500NT 10UF 50V X7R 1210ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCC) 10ความคลาดเคลื่อนในการแยกและกรองพลังงาน

฿0.6406-1.29

MOQ: 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMD X7R 50V โครงสร้างเสาหินความน่าเชื่อถือสูงบรรจุภัณฑ์ม้วน3000ชิ้น - Product Image 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMD X7R 50V โครงสร้างเสาหินความน่าเชื่อถือสูงบรรจุภัณฑ์ม้วน3000ชิ้น - Product Image 2

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMD X7R 50V โครงสร้างเสาหินความน่าเชื่อถือสูงบรรจุภัณฑ์ม้วน3000ชิ้น - Product Image 3

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMD X7R 50V โครงสร้างเสาหินความน่าเชื่อถือสูงบรรจุภัณฑ์ม้วน3000ชิ้น - Product Image 4

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMD X7R 50V โครงสร้างเสาหินความน่าเชื่อถือสูงบรรจุภัณฑ์ม้วน3000ชิ้น - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMD X7R 50V โครงสร้างเสาหินความน่าเชื่อถือสูงบรรจุภัณฑ์ม้วน3000ชิ้น - Product Image 6

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMD X7R 50V โครงสร้างเสาหินความน่าเชื่อถือสูงบรรจุภัณฑ์ม้วน3000ชิ้น

฿0.8455-0.9608

MOQ: 30

ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 แรงดัน 16V ความคลาดเคลื่อน 20% รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับการสื่อสาร - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 แรงดัน 16V ความคลาดเคลื่อน 20% รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับการสื่อสาร - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 แรงดัน 16V ความคลาดเคลื่อน 20% รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับการสื่อสาร - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 แรงดัน 16V ความคลาดเคลื่อน 20% รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับการสื่อสาร - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 แรงดัน 16V ความคลาดเคลื่อน 20% รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับการสื่อสาร - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 แรงดัน 16V ความคลาดเคลื่อน 20% รุ่น MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับการสื่อสาร

฿4,637.41-4,880.81

MOQ: 10

GRM21BR61A226ME51L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น22uF 10V แพคเกจ0805อิเล็กทริก X5R ความจุสูงพื้นผิวภูเขาสูง MLCC สูง - Product Image 1

GRM21BR61A226ME51L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น22uF 10V แพคเกจ0805อิเล็กทริก X5R ความจุสูงพื้นผิวภูเขาสูง MLCC สูง - Product Image 2

GRM21BR61A226ME51L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น22uF 10V แพคเกจ0805อิเล็กทริก X5R ความจุสูงพื้นผิวภูเขาสูง MLCC สูง - Product Image 3

GRM21BR61A226ME51L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น22uF 10V แพคเกจ0805อิเล็กทริก X5R ความจุสูงพื้นผิวภูเขาสูง MLCC สูง - Product Image 4

GRM21BR61A226ME51L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น22uF 10V แพคเกจ0805อิเล็กทริก X5R ความจุสูงพื้นผิวภูเขาสูง MLCC สูง - Product Image 5

GRM21BR61A226ME51L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น22uF 10V แพคเกจ0805อิเล็กทริก X5R ความจุสูงพื้นผิวภูเขาสูง MLCC สูง - Product Image 6

GRM21BR61A226ME51L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น22uF 10V แพคเกจ0805อิเล็กทริก X5R ความจุสูงพื้นผิวภูเขาสูง MLCC สูง

฿0.3203-0.6406

MOQ: 21

Taiyo Yuden 1210 X5R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น20% ± 25V 47uF 50ชิ้น MSAST32MAB5476MPNDT1 TMK325ABJ476MM-P - Product Image 1

Taiyo Yuden 1210 X5R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น20% ± 25V 47uF 50ชิ้น MSAST32MAB5476MPNDT1 TMK325ABJ476MM-P - Product Image 2

Taiyo Yuden 1210 X5R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น20% ± 25V 47uF 50ชิ้น MSAST32MAB5476MPNDT1 TMK325ABJ476MM-P - Product Image 3

Taiyo Yuden 1210 X5R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น20% ± 25V 47uF 50ชิ้น MSAST32MAB5476MPNDT1 TMK325ABJ476MM-P - Product Image 4

Taiyo Yuden 1210 X5R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น20% ± 25V 47uF 50ชิ้น MSAST32MAB5476MPNDT1 TMK325ABJ476MM-P - Product Image 5

Taiyo Yuden 1210 X5R ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น20% ± 25V 47uF 50ชิ้น MSAST32MAB5476MPNDT1 TMK325ABJ476MM-P

฿0.3203

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D223KC1IER1I100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D223KC1IER1I100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D223KC1IER1I100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D223KC1IER1I100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D223KC1IER1I100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D223KC1IER1I100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก (MLCC) รุ่น CD3D223KC1IER1I100 แบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม.

฿7.37-29.15

MOQ: 1

MSASE31LBB5476MTNA01คาปาซิเตอร์เซรามิกหลายชั้น SMD 1206/3216 EMK316BBJ476ML-T 16V ลักษณะการดูดกลืนเสียง - Product Image 1

MSASE31LBB5476MTNA01คาปาซิเตอร์เซรามิกหลายชั้น SMD 1206/3216 EMK316BBJ476ML-T 16V ลักษณะการดูดกลืนเสียง - Product Image 2

MSASE31LBB5476MTNA01คาปาซิเตอร์เซรามิกหลายชั้น SMD 1206/3216 EMK316BBJ476ML-T 16V ลักษณะการดูดกลืนเสียง - Product Image 3

MSASE31LBB5476MTNA01คาปาซิเตอร์เซรามิกหลายชั้น SMD 1206/3216 EMK316BBJ476ML-T 16V ลักษณะการดูดกลืนเสียง - Product Image 4

MSASE31LBB5476MTNA01คาปาซิเตอร์เซรามิกหลายชั้น SMD 1206/3216 EMK316BBJ476ML-T 16V ลักษณะการดูดกลืนเสียง - Product Image 5

MSASE31LBB5476MTNA01คาปาซิเตอร์เซรามิกหลายชั้น SMD 1206/3216 EMK316BBJ476ML-T 16V ลักษณะการดูดกลืนเสียง

฿4,637.41-4,880.81

MOQ: 10