All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR สำหรับความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้นตัวเก็บประจุเซรามิก - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR สำหรับความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้นตัวเก็บประจุเซรามิก - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR สำหรับความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้นตัวเก็บประจุเซรามิก - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR สำหรับความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้นตัวเก็บประจุเซรามิก - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR สำหรับความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้นตัวเก็บประจุเซรามิก - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR สำหรับความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้นตัวเก็บประจุเซรามิก - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกโครงสร้างเสาหิน MSASL31LAB7226KTNB25/LMK316AB7226KL-TR สำหรับความน่าเชื่อถือที่สูงขึ้นตัวเก็บประจุเซรามิก

฿0.9745-1.27

สั่งขั้นต่ำ: 20,000 ชิ้น

Yageo ตัวเก็บประจุชิปเซรามิก5% ตัวเก็บประจุ10nF 25V C0G - Product Image 1

Yageo ตัวเก็บประจุชิปเซรามิก5% ตัวเก็บประจุ10nF 25V C0G - Product Image 2

Yageo ตัวเก็บประจุชิปเซรามิก5% ตัวเก็บประจุ10nF 25V C0G - Product Image 3

Yageo ตัวเก็บประจุชิปเซรามิก5% ตัวเก็บประจุ10nF 25V C0G - Product Image 4

Yageo ตัวเก็บประจุชิปเซรามิก5% ตัวเก็บประจุ10nF 25V C0G - Product Image 5

Yageo ตัวเก็บประจุชิปเซรามิก5% ตัวเก็บประจุ10nF 25V C0G - Product Image 6

Yageo ตัวเก็บประจุชิปเซรามิก5% ตัวเก็บประจุ10nF 25V C0G

฿0.3164-0.6328

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

GRM188R61A106ME69D 10UF 10V X5R MLCC 0603 1608 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความต้านทานต่ำสำหรับการกรองพลังงานและแยกตัว - Product Image 1

GRM188R61A106ME69D 10UF 10V X5R MLCC 0603 1608 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความต้านทานต่ำสำหรับการกรองพลังงานและแยกตัว - Product Image 2

GRM188R61A106ME69D 10UF 10V X5R MLCC 0603 1608 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความต้านทานต่ำสำหรับการกรองพลังงานและแยกตัว - Product Image 3

GRM188R61A106ME69D 10UF 10V X5R MLCC 0603 1608 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความต้านทานต่ำสำหรับการกรองพลังงานและแยกตัว - Product Image 4

GRM188R61A106ME69D 10UF 10V X5R MLCC 0603 1608 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความต้านทานต่ำสำหรับการกรองพลังงานและแยกตัว - Product Image 5

GRM188R61A106ME69D 10UF 10V X5R MLCC 0603 1608 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความต้านทานต่ำสำหรับการกรองพลังงานและแยกตัว - Product Image 6

GRM188R61A106ME69D 10UF 10V X5R MLCC 0603 1608 SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความต้านทานต่ำสำหรับการกรองพลังงานและแยกตัว

฿0.3164-0.6328

สั่งขั้นต่ำ: 48,000 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D221KC17EB45U31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D221KC17EB45U31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D221KC17EB45U31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D221KC17EB45U31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D221KC17EB45U31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D221KC17EB45U31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3D221KC17EB45U31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220pF 10% 2kV 5.08 มม.

฿0.3164-1.90

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H224ZC1GD3F8A3100 ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 220nF ค่าความคลาดเคลื่อน -20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม.

฿0.3164-1.90

สั่งขั้นต่ำ: 20 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E470KQ0T0S0P0 ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 10% 3kV 7.5 มม.

฿0.9492-4.12

สั่งขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม.

฿0.3164-0.9492

สั่งขั้นต่ำ: 50 ชิ้น

GR443QR73D222KW01L ตัวเก็บประจุเซรามิก - 2.2nF ตัวกรองความเสถียรสูง - Product Image 1

GR443QR73D222KW01L ตัวเก็บประจุเซรามิก - 2.2nF ตัวกรองความเสถียรสูง - Product Image 2

GR443QR73D222KW01L ตัวเก็บประจุเซรามิก - 2.2nF ตัวกรองความเสถียรสูง - Product Image 3

GR443QR73D222KW01L ตัวเก็บประจุเซรามิก - 2.2nF ตัวกรองความเสถียรสูง - Product Image 4

GR443QR73D222KW01L ตัวเก็บประจุเซรามิก - 2.2nF ตัวกรองความเสถียรสูง - Product Image 5

GR443QR73D222KW01L ตัวเก็บประจุเซรามิก - 2.2nF ตัวกรองความเสถียรสูง - Product Image 6

GR443QR73D222KW01L ตัวเก็บประจุเซรามิก - 2.2nF ตัวกรองความเสถียรสูง

฿15.82

สั่งขั้นต่ำ: 100 ชิ้น