All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N09F1B103MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N09F1B103MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N09F1B103MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N09F1B103MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N09F1B103MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N09F1B103MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น N09F1B103MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.9608-3.21

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกเกรดมืออาชีพ ป้องกันการรั่วไหลต่ำ ปลอดภัย พร้อมขั้วต่อมาตรฐาน อุณหภูมิใช้งาน -25-85 องศาเซลเซียส แรงดันไฟฟ้า 250-400 โวลต์กระแสสลับ ค่าการสูญเสีย <2.5% - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกเกรดมืออาชีพ ป้องกันการรั่วไหลต่ำ ปลอดภัย พร้อมขั้วต่อมาตรฐาน อุณหภูมิใช้งาน -25-85 องศาเซลเซียส แรงดันไฟฟ้า 250-400 โวลต์กระแสสลับ ค่าการสูญเสีย <2.5% - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกเกรดมืออาชีพ ป้องกันการรั่วไหลต่ำ ปลอดภัย พร้อมขั้วต่อมาตรฐาน อุณหภูมิใช้งาน -25-85 องศาเซลเซียส แรงดันไฟฟ้า 250-400 โวลต์กระแสสลับ ค่าการสูญเสีย <2.5% - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกเกรดมืออาชีพ ป้องกันการรั่วไหลต่ำ ปลอดภัย พร้อมขั้วต่อมาตรฐาน อุณหภูมิใช้งาน -25-85 องศาเซลเซียส แรงดันไฟฟ้า 250-400 โวลต์กระแสสลับ ค่าการสูญเสีย <2.5% - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกเกรดมืออาชีพ ป้องกันการรั่วไหลต่ำ ปลอดภัย พร้อมขั้วต่อมาตรฐาน อุณหภูมิใช้งาน -25-85 องศาเซลเซียส แรงดันไฟฟ้า 250-400 โวลต์กระแสสลับ ค่าการสูญเสีย <2.5% - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกเกรดมืออาชีพ ป้องกันการรั่วไหลต่ำ ปลอดภัย พร้อมขั้วต่อมาตรฐาน อุณหภูมิใช้งาน -25-85 องศาเซลเซียส แรงดันไฟฟ้า 250-400 โวลต์กระแสสลับ ค่าการสูญเสีย <2.5% - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกเกรดมืออาชีพ ป้องกันการรั่วไหลต่ำ ปลอดภัย พร้อมขั้วต่อมาตรฐาน อุณหภูมิใช้งาน -25-85 องศาเซลเซียส แรงดันไฟฟ้า 250-400 โวลต์กระแสสลับ ค่าการสูญเสีย <2.5%

฿1.93-2.57

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MC1PDB44B3003 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MC1PDB44B3003 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MC1PDB44B3003 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MC1PDB44B3003 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MC1PDB44B3003 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MC1PDB44B3003 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 20% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MC1PDB44B3003 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 20% 50V 5.08 มม.

฿0.3203-1.61

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 565R10GAP10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 100nF 20% 1kV Z5U

฿114.02-387.84

MOQ: 1

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 1

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 2

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 3

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 4

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT - Product Image 5

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น Taiyo Yuden MSASL21GBB5226MTNA01 LMK212BBJ226MG-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น ค่าดีอิเล็กทริกสูง แบบ SMT

฿0.3203

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบชิปเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden 16V 20% 1206/3216 SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปรุ่น - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบชิปเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden 16V 20% 1206/3216 SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปรุ่น - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบชิปเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden 16V 20% 1206/3216 SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปรุ่น - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบชิปเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden 16V 20% 1206/3216 SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปรุ่น - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบชิปเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden 16V 20% 1206/3216 SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปรุ่น - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบชิปเซรามิกหลายชั้น Taiyo Yuden 16V 20% 1206/3216 SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั่วไปรุ่น

฿4,637.41-4,880.81

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC2A104ZC1ID3F7C30MF ระยะขา P=5.08 มม. 100nF -20%~+80% 100V 5.08 มม.

฿0.6406-2.25

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMT 25V 4.7F 10% 0805/2012 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMT 25V 4.7F 10% 0805/2012 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMT 25V 4.7F 10% 0805/2012 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMT 25V 4.7F 10% 0805/2012 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMT 25V 4.7F 10% 0805/2012 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น SMT 25V 4.7F 10% 0805/2012

฿1,114.52-1,162.56

MOQ: 10