All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Ceramic capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม.

฿0.3203-0.9608

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81M7Y5P1B102KSEAT0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 2kV Y5P

฿0.6406-2.89

MOQ: 20

Taiyo Yuden MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบดูดซับเสียง SMT 1206/3216 - Product Image 1

Taiyo Yuden MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบดูดซับเสียง SMT 1206/3216 - Product Image 2

Taiyo Yuden MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบดูดซับเสียง SMT 1206/3216 - Product Image 3

Taiyo Yuden MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบดูดซับเสียง SMT 1206/3216 - Product Image 4

Taiyo Yuden MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบดูดซับเสียง SMT 1206/3216 - Product Image 5

Taiyo Yuden MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบดูดซับเสียง SMT 1206/3216 - Product Image 6

Taiyo Yuden MSASU31LAB7475KTNA01/UMK316AB7475KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบดูดซับเสียง SMT 1206/3216

฿0.7142-0.9608

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N07B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม.

฿0.3203-1.93

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAS10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 10nF 20% 1kV 9.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAS10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 10nF 20% 1kV 9.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAS10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 10nF 20% 1kV 9.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAS10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 10nF 20% 1kV 9.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAS10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 10nF 20% 1kV 9.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAS10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 10nF 20% 1kV 9.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 562R5GAS10 ชนิด Through-Hole Component (THT) ขนาด 10nF 20% 1kV 9.5 มม.

฿22.42-84.55

MOQ: 1

Shm รุ่น102K ตัวเก็บประจุชนิดแรงดันกลางที่แข็งแกร่งชนิด DCF AC ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิก8kVDC ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสำหรับสัญญาณรบกวนวงจรไฟฟ้า - Product Image 1

Shm รุ่น102K ตัวเก็บประจุชนิดแรงดันกลางที่แข็งแกร่งชนิด DCF AC ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิก8kVDC ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสำหรับสัญญาณรบกวนวงจรไฟฟ้า - Product Image 2

Shm รุ่น102K ตัวเก็บประจุชนิดแรงดันกลางที่แข็งแกร่งชนิด DCF AC ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิก8kVDC ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสำหรับสัญญาณรบกวนวงจรไฟฟ้า - Product Image 3

Shm รุ่น102K ตัวเก็บประจุชนิดแรงดันกลางที่แข็งแกร่งชนิด DCF AC ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิก8kVDC ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสำหรับสัญญาณรบกวนวงจรไฟฟ้า - Product Image 4

Shm รุ่น102K ตัวเก็บประจุชนิดแรงดันกลางที่แข็งแกร่งชนิด DCF AC ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิก8kVDC ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสำหรับสัญญาณรบกวนวงจรไฟฟ้า - Product Image 5

Shm รุ่น102K ตัวเก็บประจุชนิดแรงดันกลางที่แข็งแกร่งชนิด DCF AC ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิก8kVDC ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสำหรับสัญญาณรบกวนวงจรไฟฟ้า - Product Image 6

Shm รุ่น102K ตัวเก็บประจุชนิดแรงดันกลางที่แข็งแกร่งชนิด DCF AC ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิก8kVDC ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสำหรับสัญญาณรบกวนวงจรไฟฟ้า

฿0.6406-2.25

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม.

฿0.3203-1.29

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102M20Y5UL6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102M20Y5UL6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102M20Y5UL6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102M20Y5UL6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102M20Y5UL6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102M20Y5UL6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCM102M20Y5UL6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม.

฿0.6406-2.25

MOQ: 20