All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKML1452A151MV ขนาด D12.5xL14.5 มม. 150uF 20% 100V 1.368A-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKML1452A151MV ขนาด D12.5xL14.5 มม. 150uF 20% 100V 1.368A-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKML1452A151MV ขนาด D12.5xL14.5 มม. 150uF 20% 100V 1.368A-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKML1452A151MV ขนาด D12.5xL14.5 มม. 150uF 20% 100V 1.368A-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKML1452A151MV ขนาด D12.5xL14.5 มม. 150uF 20% 100V 1.368A-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKML1452A151MV ขนาด D12.5xL14.5 มม. 150uF 20% 100V 1.368A-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKML1452A151MV ขนาด D12.5xL14.5 มม. 150uF 20% 100V 1.368A-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UWD1V151MCL1GS, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V 225mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UWD1V151MCL1GS, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V 225mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UWD1V151MCL1GS, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V 225mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UWD1V151MCL1GS, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V 225mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UWD1V151MCL1GS, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V 225mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UWD1V151MCL1GS, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V 225mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น UWD1V151MCL1GS, ขนาด D8xL10 มม. 150uF 20% 35V 225mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

TAJD107K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 1

TAJD107K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 2

TAJD107K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 3

TAJD107K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 4

TAJD107K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 5

TAJD107K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V ) - Product Image 6

TAJD107K010RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-D-7343 ( ความจุ: 100uF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 10V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H223ZC1SD3F4D3100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 22nF ±20%~+80% แรงดัน 50V ระยะขา 5.08 มม.

฿0.3161-0.9483

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEETG2A220UP D8xL10.2mm 22uF 20% 100V 70mA-100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEETG2A220UP D8xL10.2mm 22uF 20% 100V 70mA-100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEETG2A220UP D8xL10.2mm 22uF 20% 100V 70mA-100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEETG2A220UP D8xL10.2mm 22uF 20% 100V 70mA-100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEETG2A220UP D8xL10.2mm 22uF 20% 100V 70mA-100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEETG2A220UP D8xL10.2mm 22uF 20% 100V 70mA-100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค SMD EEETG2A220UP D8xL10.2mm 22uF 20% 100V 70mA-100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T07E1D102MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

GCM1885C1H102JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 1

GCM1885C1H102JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 2

GCM1885C1H102JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 3

GCM1885C1H102JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 4

GCM1885C1H102JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 5

GCM1885C1H102JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V) - Product Image 6

GCM1885C1H102JA16D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 1nF )(ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V)

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH101K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20