All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

564RC0GAJ602EF4R7D ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูชิ้นส่วนรู (THT) 4.7pF 6kV - Product Image 1

564RC0GAJ602EF4R7D ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูชิ้นส่วนรู (THT) 4.7pF 6kV - Product Image 2

564RC0GAJ602EF4R7D ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูชิ้นส่วนรู (THT) 4.7pF 6kV - Product Image 3

564RC0GAJ602EF4R7D ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูชิ้นส่วนรู (THT) 4.7pF 6kV - Product Image 4

564RC0GAJ602EF4R7D ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูชิ้นส่วนรู (THT) 4.7pF 6kV - Product Image 5

564RC0GAJ602EF4R7D ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูชิ้นส่วนรู (THT) 4.7pF 6kV - Product Image 6

564RC0GAJ602EF4R7D ตัวเก็บประจุแผ่นเซรามิกผ่านรูผ่านรูชิ้นส่วนรู (THT) 4.7pF 6kV

฿27.19-103.37

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSB336M016R0350 รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSB336M016R0350 รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSB336M016R0350 รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSB336M016R0350 รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSB336M016R0350 รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSB336M016R0350 รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม TPSB336M016R0350 รุ่น CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 33uF ) ( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10C2R7BB8NNNC ขนาด 0603 ความจุ 2.7pF แรงดัน 50V ความคลาสสิค C0G - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10C2R7BB8NNNC ขนาด 0603 ความจุ 2.7pF แรงดัน 50V ความคลาสสิค C0G - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10C2R7BB8NNNC ขนาด 0603 ความจุ 2.7pF แรงดัน 50V ความคลาสสิค C0G - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10C2R7BB8NNNC ขนาด 0603 ความจุ 2.7pF แรงดัน 50V ความคลาสสิค C0G - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10C2R7BB8NNNC ขนาด 0603 ความจุ 2.7pF แรงดัน 50V ความคลาสสิค C0G - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10C2R7BB8NNNC ขนาด 0603 ความจุ 2.7pF แรงดัน 50V ความคลาสสิค C0G - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL10C2R7BB8NNNC ขนาด 0603 ความจุ 2.7pF แรงดัน 50V ความคลาสสิค C0G

฿0.3161-0.9483

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD222ZYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD222ZYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD222ZYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD222ZYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD222ZYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD222ZYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD222ZYGNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

TC212B475K025B ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 1

TC212B475K025B ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 2

TC212B475K025B ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 3

TC212B475K025B ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 4

TC212B475K025B ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 5

TC212B475K025B ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V ) - Product Image 6

TC212B475K025B ตัวเก็บประจุแทนทาลัม CASE-B-3528-21(มม.) ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 25V )

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V470AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 47uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 79mA ความถี่ 120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V470AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 47uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 79mA ความถี่ 120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V470AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 47uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 79mA ความถี่ 120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V470AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 47uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 79mA ความถี่ 120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V470AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 47uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 79mA ความถี่ 120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V470AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 47uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 79mA ความถี่ 120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHD1V470AP, ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 47uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 35V กระแสไฟฟ้า 79mA ความถี่ 120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม.

฿0.3161-0.9483

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H104ZA1ED3F5O1100 ระยะขา P=2.54 มม. 100nF -20%~+80% 50V 2.54 มม.

฿0.3161-0.9483

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50