All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFK1K151AQ ขนาด D12.5xL13.5 มม. 150uF 20% 80V 375mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFK1K151AQ ขนาด D12.5xL13.5 มม. 150uF 20% 80V 375mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFK1K151AQ ขนาด D12.5xL13.5 มม. 150uF 20% 80V 375mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFK1K151AQ ขนาด D12.5xL13.5 มม. 150uF 20% 80V 375mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFK1K151AQ ขนาด D12.5xL13.5 มม. 150uF 20% 80V 375mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFK1K151AQ ขนาด D12.5xL13.5 มม. 150uF 20% 80V 375mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEFK1K151AQ ขนาด D12.5xL13.5 มม. 150uF 20% 80V 375mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S07E3B102MA5B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA0J471UP, ขนาด D8xL10.2 มม., ความจุ 470uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดันไฟฟ้า 6.3V, กระแสไฟฟ้า 300mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA0J471UP, ขนาด D8xL10.2 มม., ความจุ 470uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดันไฟฟ้า 6.3V, กระแสไฟฟ้า 300mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA0J471UP, ขนาด D8xL10.2 มม., ความจุ 470uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดันไฟฟ้า 6.3V, กระแสไฟฟ้า 300mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA0J471UP, ขนาด D8xL10.2 มม., ความจุ 470uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดันไฟฟ้า 6.3V, กระแสไฟฟ้า 300mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA0J471UP, ขนาด D8xL10.2 มม., ความจุ 470uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดันไฟฟ้า 6.3V, กระแสไฟฟ้า 300mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA0J471UP, ขนาด D8xL10.2 มม., ความจุ 470uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดันไฟฟ้า 6.3V, กระแสไฟฟ้า 300mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEEHA0J471UP, ขนาด D8xL10.2 มม., ความจุ 470uF, ค่าความคลาดเคลื่อน 20%, แรงดันไฟฟ้า 6.3V, กระแสไฟฟ้า 300mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6WL5A0 ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETK1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 25V กระแสไฟ 197mA ความถี่ 100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETK1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 25V กระแสไฟ 197mA ความถี่ 100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETK1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 25V กระแสไฟ 197mA ความถี่ 100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETK1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 25V กระแสไฟ 197mA ความถี่ 100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETK1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 25V กระแสไฟ 197mA ความถี่ 100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETK1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 25V กระแสไฟ 197mA ความถี่ 100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEETK1E101P ขนาด D8xL10.2 มม. ความจุ 100uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 25V กระแสไฟ 197mA ความถี่ 100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYSNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 2kV 5 มม. SL - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYSNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 2kV 5 มม. SL - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYSNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 2kV 5 มม. SL - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYSNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 2kV 5 มม. SL - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYSNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 2kV 5 มม. SL - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYSNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 2kV 5 มม. SL - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3DD101JYSNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. 100pF 2kV 5 มม. SL

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH221K22YR N6FK5G8 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1651A222MV, ขนาด D10xL16.5 มม. ความจุ 2200uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 10V กระแสไฟฟ้า 1.96A ความถี่ 100kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1651A222MV, ขนาด D10xL16.5 มม. ความจุ 2200uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 10V กระแสไฟฟ้า 1.96A ความถี่ 100kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1651A222MV, ขนาด D10xL16.5 มม. ความจุ 2200uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 10V กระแสไฟฟ้า 1.96A ความถี่ 100kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1651A222MV, ขนาด D10xL16.5 มม. ความจุ 2200uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 10V กระแสไฟฟ้า 1.96A ความถี่ 100kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1651A222MV, ขนาด D10xL16.5 มม. ความจุ 2200uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 10V กระแสไฟฟ้า 1.96A ความถี่ 100kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1651A222MV, ขนาด D10xL16.5 มม. ความจุ 2200uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 10V กระแสไฟฟ้า 1.96A ความถี่ 100kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น VKME1651A222MV, ขนาด D10xL16.5 มม. ความจุ 2200uF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดันไฟฟ้า 10V กระแสไฟฟ้า 1.96A ความถี่ 100kHz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1