All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T09F1D222MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T09F1D222MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T09F1D222MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T09F1D222MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T09F1D222MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T09F1D222MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น T09F1D222MN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 4kV ระยะขา 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222J224K40C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 630V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222J224K40C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 630V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222J224K40C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 630V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222J224K40C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 630V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222J224K40C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 630V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222J224K40C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 630V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C222J224K40C000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 220nF 10% 630V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFK2A123JC1F7B04UA00 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 12nF 5% 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFK2A123JC1F7B04UA00 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 12nF 5% 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFK2A123JC1F7B04UA00 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 12nF 5% 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFK2A123JC1F7B04UA00 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 12nF 5% 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFK2A123JC1F7B04UA00 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 12nF 5% 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFK2A123JC1F7B04UA00 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 12nF 5% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม CFK2A123JC1F7B04UA00 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 12nF 5% 100V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3F102MD1IEF45K60MF แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 1nF 20% 3kV 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น R15B1E472KQ0T0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาดขา 7.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC101J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC101J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC101J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC101J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC101J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC101J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 5% 50V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCC101J20SL F6FJ5A0 ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. 100pF 5% 50V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น PKCD11H121MF (THT), ขนาด D8xL12 มม. 120uF 20% 50V ขา 3.5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7WR, ขนาด D4xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 18mA-120Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7WR, ขนาด D4xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 18mA-120Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7WR, ขนาด D4xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 18mA-120Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7WR, ขนาด D4xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 18mA-120Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7WR, ขนาด D4xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 18mA-120Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7WR, ขนาด D4xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 18mA-120Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ SMD รุ่น EEE1HA4R7WR, ขนาด D4xL5.4 มม. ความจุ 4.7uF 20% 50V 18mA-120Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1