All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

I x1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุนิรภัย C45S1185KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 1.8uF 10% 440V X1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุนิรภัย C45S1185KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 1.8uF 10% 440V X1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุนิรภัย C45S1185KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 1.8uF 10% 440V X1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุนิรภัย C45S1185KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 1.8uF 10% 440V X1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุนิรภัย C45S1185KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 1.8uF 10% 440V X1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุนิรภัย C45S1185KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 1.8uF 10% 440V X1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุนิรภัย C45S1185KBSC000 แบบ Through Hole (THT), ระยะขา P=27.5 มม. 1.8uF 10% 440V X1

฿39.79-145.54

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

สายการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ AP7353D-45CV4-7 4 XFBGA, WLBGA ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าต่ำแบบ CMOS ของแท้ LDO รุ่น X1 WLB070 - Product Image 1

สายการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ AP7353D-45CV4-7 4 XFBGA, WLBGA ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าต่ำแบบ CMOS ของแท้ LDO รุ่น X1 WLB070 - Product Image 2

สายการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ AP7353D-45CV4-7 4 XFBGA, WLBGA ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าต่ำแบบ CMOS ของแท้ LDO รุ่น X1 WLB070 - Product Image 3

สายการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ AP7353D-45CV4-7 4 XFBGA, WLBGA ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าต่ำแบบ CMOS ของแท้ LDO รุ่น X1 WLB070 - Product Image 4

สายการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ AP7353D-45CV4-7 4 XFBGA, WLBGA ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าต่ำแบบ CMOS ของแท้ LDO รุ่น X1 WLB070 - Product Image 5

สายการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ AP7353D-45CV4-7 4 XFBGA, WLBGA ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าต่ำแบบ CMOS ของแท้ LDO รุ่น X1 WLB070 - Product Image 6

สายการผลิตชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ AP7353D-45CV4-7 4 XFBGA, WLBGA ระบบจัดการพลังงาน (PMIC) ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าต่ำแบบ CMOS ของแท้ LDO รุ่น X1 WLB070

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

X1-SON-2 TPD1E10B06DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ใหม่ล่าสุด - Product Image 1

X1-SON-2 TPD1E10B06DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ใหม่ล่าสุด - Product Image 2

X1-SON-2 TPD1E10B06DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ใหม่ล่าสุด - Product Image 3

X1-SON-2 TPD1E10B06DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ใหม่ล่าสุด - Product Image 4

X1-SON-2 TPD1E10B06DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ใหม่ล่าสุด - Product Image 5

X1-SON-2 TPD1E10B06DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ใหม่ล่าสุด - Product Image 6

X1-SON-2 TPD1E10B06DPYT (0.6x1) ทรานซิสเตอร์ ESD และป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) ใหม่ล่าสุด

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 2.2นิวตัน-ฟารัด 20% 400โวลต์/400โวลต์ X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 2.2นิวตัน-ฟารัด 20% 400โวลต์/400โวลต์ X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 2.2นิวตัน-ฟารัด 20% 400โวลต์/400โวลต์ X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 2.2นิวตัน-ฟารัด 20% 400โวลต์/400โวลต์ X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 2.2นิวตัน-ฟารัด 20% 400โวลต์/400โวลต์ X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 2.2นิวตัน-ฟารัด 20% 400โวลต์/400โวลต์ X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), P=10มม. 2.2นิวตัน-ฟารัด 20% 400โวลต์/400โวลต์ X1, Y1

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 400V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 400V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 400V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 400V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 400V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 400V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M34Y5VGEUL0L0 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 400V/400V X1, Y1

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-NKA3, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-NKA3, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-NKA3, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-NKA3, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-NKA3, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-NKA3, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิดชนิดเสียบผ่านรู (THT) รุ่น CD45-E2GA102M-NKA3, ระยะขา P=10 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M36Y5UG6UP0CW ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M36Y5UG6UP0CW ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M36Y5UG6UP0CW ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M36Y5UG6UP0CW ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M36Y5UG6UP0CW ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M36Y5UG6UP0CW ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF222M36Y5UG6UP0CW ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 2.2nF 20% 250V/400V X1, Y1

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DCF472M46Y5VG6UL0BU ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=10 มม. 4.7nF 20% 250V/400V X1, Y1

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5