All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

I x1

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYNKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYNKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYNKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYNKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYNKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYNKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบวงจรปิด (THT) รุ่น CD12ZU2GA472MYNKA ระยะขา P=10 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 400V/440V X1, Y1

฿1.95-8.41
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX222MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX222MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX222MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX222MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX222MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX222MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 300V/440V X1 Y1 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุความปลอดภัย DE1E3KX222MN4AP01F ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10mm 2.2nF 20% 300V/440V X1 Y1

฿4.53-17.47
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
SD10G56666 00HN875 14.0 "แล็ปท็อปจอแอลซีดี FHD แผงสัมผัส Digitizer ประกอบ Lenovo ThinkPad X1โยคะ Gen - Product Image 1
SD10G56666 00HN875 14.0 "แล็ปท็อปจอแอลซีดี FHD แผงสัมผัส Digitizer ประกอบ Lenovo ThinkPad X1โยคะ Gen - Product Image 2
SD10G56666 00HN875 14.0 "แล็ปท็อปจอแอลซีดี FHD แผงสัมผัส Digitizer ประกอบ Lenovo ThinkPad X1โยคะ Gen - Product Image 3
SD10G56666 00HN875 14.0 "แล็ปท็อปจอแอลซีดี FHD แผงสัมผัส Digitizer ประกอบ Lenovo ThinkPad X1โยคะ Gen - Product Image 4
SD10G56666 00HN875 14.0 "แล็ปท็อปจอแอลซีดี FHD แผงสัมผัส Digitizer ประกอบ Lenovo ThinkPad X1โยคะ Gen - Product Image 5
SD10G56666 00HN875 14.0 "แล็ปท็อปจอแอลซีดี FHD แผงสัมผัส Digitizer ประกอบ Lenovo ThinkPad X1โยคะ Gen - Product Image 6

SD10G56666 00HN875 14.0 "แล็ปท็อปจอแอลซีดี FHD แผงสัมผัส Digitizer ประกอบ Lenovo ThinkPad X1โยคะ Gen

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
1 yrscountry flagHK5.0/5.0
PI3USB32324AXEAEX BOM IC In Stock Electronic Component Manufacturer USB3 SWITCH X1 QFN2040 24 T&R 3. Interface - Product Image 1
PI3USB32324AXEAEX BOM IC In Stock Electronic Component Manufacturer USB3 SWITCH X1 QFN2040 24 T&R 3. Interface - Product Image 2
PI3USB32324AXEAEX BOM IC In Stock Electronic Component Manufacturer USB3 SWITCH X1 QFN2040 24 T&R 3. Interface - Product Image 3
PI3USB32324AXEAEX BOM IC In Stock Electronic Component Manufacturer USB3 SWITCH X1 QFN2040 24 T&R 3. Interface - Product Image 4
PI3USB32324AXEAEX BOM IC In Stock Electronic Component Manufacturer USB3 SWITCH X1 QFN2040 24 T&R 3. Interface - Product Image 5
PI3USB32324AXEAEX BOM IC In Stock Electronic Component Manufacturer USB3 SWITCH X1 QFN2040 24 T&R 3. Interface - Product Image 6

PI3USB32324AXEAEX BOM IC In Stock Electronic Component Manufacturer USB3 SWITCH X1 QFN2040 24 T&R 3. Interface

฿9.71-19.41
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
1 yrscountry flagHK
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY472MN3AU02F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY472MN3AU02F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY472MN3AU02F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY472MN3AU02F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY472MN3AU02F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY472MN3AU02F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย DE2E3KY472MN3AU02F ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 300V X1, Y2

฿3.56-13.91
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
Genuine Original New Guaranteed MLN-YT12N3R3N-X1 2.5X2.0X1.2 Semiconductor IC Chip CZSKU:X8A6R7D4 - Product Image 1
Genuine Original New Guaranteed MLN-YT12N3R3N-X1 2.5X2.0X1.2 Semiconductor IC Chip CZSKU:X8A6R7D4 - Product Image 2
Genuine Original New Guaranteed MLN-YT12N3R3N-X1 2.5X2.0X1.2 Semiconductor IC Chip CZSKU:X8A6R7D4 - Product Image 3
Genuine Original New Guaranteed MLN-YT12N3R3N-X1 2.5X2.0X1.2 Semiconductor IC Chip CZSKU:X8A6R7D4 - Product Image 4
Genuine Original New Guaranteed MLN-YT12N3R3N-X1 2.5X2.0X1.2 Semiconductor IC Chip CZSKU:X8A6R7D4 - Product Image 5
Genuine Original New Guaranteed MLN-YT12N3R3N-X1 2.5X2.0X1.2 Semiconductor IC Chip CZSKU:X8A6R7D4 - Product Image 6

Genuine Original New Guaranteed MLN-YT12N3R3N-X1 2.5X2.0X1.2 Semiconductor IC Chip CZSKU:X8A6R7D4

฿3.63-29.47
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย HME472MH3B3.5W ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% X1, Y2 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย HME472MH3B3.5W ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% X1, Y2 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย HME472MH3B3.5W ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% X1, Y2 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย HME472MH3B3.5W ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% X1, Y2 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย HME472MH3B3.5W ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% X1, Y2 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย HME472MH3B3.5W ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% X1, Y2 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบปลอดภัย HME472MH3B3.5W ชนิด Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 4.7nF 20% X1, Y2

฿2.27-9.38
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD18VF1BLQ-7B คุณภาพสูง ESD และการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 1
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD18VF1BLQ-7B คุณภาพสูง ESD และการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 2
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD18VF1BLQ-7B คุณภาพสูง ESD และการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 3
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD18VF1BLQ-7B คุณภาพสูง ESD และการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 4
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD18VF1BLQ-7B คุณภาพสูง ESD และการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 5
ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD18VF1BLQ-7B คุณภาพสูง ESD และการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD) - Product Image 6

ทรานซิสเตอร์ X1-DFN1006-2 DESD18VF1BLQ-7B คุณภาพสูง ESD และการป้องกันไฟกระชาก (TVS/ESD)

฿1.95-7.44
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5
2 yrscountry flagHK4.8/5.0 (13)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

7 8ซัมซุงกาแล็คซี่ a12ว 14redmi not 5ไอ โฟน 7 ราคา มือ สองs22 galaxyiphone 11pro 128gbsamsung a 7google pixel 6ahonor 10iphone se desbloqueadoxs max ราคาrog phone 5ssamsung a42iphone 11 pro max มือ 1samsung galaxy s23 128gbredmi note 4iphone 9s plusยู โฟนiphone พับ ได้