All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

F 22

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 1

GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 2

GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 3

GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 4

GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 5

GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12 - Product Image 6

GGM32ER71A226KE12(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 10Vdc ± 10% X7R 125 22uF GGM32ER71A226KE12

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GCM31CC71C226ME36(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 16Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GCM31CC71C226ME36 - Product Image 1

GCM31CC71C226ME36(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 16Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GCM31CC71C226ME36 - Product Image 2

GCM31CC71C226ME36(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 16Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GCM31CC71C226ME36 - Product Image 3

GCM31CC71C226ME36(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 16Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GCM31CC71C226ME36 - Product Image 4

GCM31CC71C226ME36(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 16Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GCM31CC71C226ME36 - Product Image 5

GCM31CC71C226ME36(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 16Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GCM31CC71C226ME36 - Product Image 6

GCM31CC71C226ME36(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 16Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 22uF GCM31CC71C226ME36

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32DR61C226ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 1

GRM32DR61C226ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 2

GRM32DR61C226ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 3

GRM32DR61C226ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 4

GRM32DR61C226ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 5

GRM32DR61C226ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18 - Product Image 6

GRM32DR61C226ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRM32DR61C226ME18

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 1

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 2

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 3

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 4

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 5

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 6

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRT31CR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226KE01 - Product Image 1

GRT31CR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226KE01 - Product Image 2

GRT31CR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226KE01 - Product Image 3

GRT31CR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226KE01 - Product Image 4

GRT31CR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226KE01 - Product Image 5

GRT31CR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226KE01 - Product Image 6

GRT31CR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT31CR60J226KE01

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 1

C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 2

C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 3

C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 4

C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 5

C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 6

C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CR70J226KE19(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 22uF GRM31CR70J226KE19 - Product Image 1

GRM31CR70J226KE19(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 22uF GRM31CR70J226KE19 - Product Image 2

GRM31CR70J226KE19(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 22uF GRM31CR70J226KE19 - Product Image 3

GRM31CR70J226KE19(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 22uF GRM31CR70J226KE19 - Product Image 4

GRM31CR70J226KE19(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 22uF GRM31CR70J226KE19 - Product Image 5

GRM31CR70J226KE19(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 22uF GRM31CR70J226KE19 - Product Image 6

GRM31CR70J226KE19(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 22uF GRM31CR70J226KE19

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบรูผ่านรู16TWL22KEFC5X11 22 uF 10% 16V รัศมี th 22 uF ของแท้ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบรูผ่านรู16TWL22KEFC5X11 22 uF 10% 16V รัศมี th 22 uF ของแท้ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบรูผ่านรู16TWL22KEFC5X11 22 uF 10% 16V รัศมี th 22 uF ของแท้ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบรูผ่านรู16TWL22KEFC5X11 22 uF 10% 16V รัศมี th 22 uF ของแท้ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบรูผ่านรู16TWL22KEFC5X11 22 uF 10% 16V รัศมี th 22 uF ของแท้ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบรูผ่านรู16TWL22KEFC5X11 22 uF 10% 16V รัศมี th 22 uF ของแท้ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบรูผ่านรู16TWL22KEFC5X11 22 uF 10% 16V รัศมี th 22 uF ของแท้

฿0.6722-1.35

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 3,000 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs