All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

F 22

(มีสินค้า 999+ รายการ)

CNA6P1X7R1E226M250AE (ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CNA6P1X7R1E226M250AE 22uF - Product Image 1

CNA6P1X7R1E226M250AE (ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CNA6P1X7R1E226M250AE 22uF - Product Image 2

CNA6P1X7R1E226M250AE (ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CNA6P1X7R1E226M250AE 22uF - Product Image 3

CNA6P1X7R1E226M250AE (ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CNA6P1X7R1E226M250AE 22uF - Product Image 4

CNA6P1X7R1E226M250AE (ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CNA6P1X7R1E226M250AE 22uF - Product Image 5

CNA6P1X7R1E226M250AE (ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CNA6P1X7R1E226M250AE 22uF - Product Image 6

CNA6P1X7R1E226M250AE (ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CNA6P1X7R1E226M250AE 22uF

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบฝา UBW1J220MPD1TA สารส้ม22 uF 20% 63V เรเดียล th 22 uF ของแท้ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฝา UBW1J220MPD1TA สารส้ม22 uF 20% 63V เรเดียล th 22 uF ของแท้ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฝา UBW1J220MPD1TA สารส้ม22 uF 20% 63V เรเดียล th 22 uF ของแท้ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฝา UBW1J220MPD1TA สารส้ม22 uF 20% 63V เรเดียล th 22 uF ของแท้ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฝา UBW1J220MPD1TA สารส้ม22 uF 20% 63V เรเดียล th 22 uF ของแท้ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฝา UBW1J220MPD1TA สารส้ม22 uF 20% 63V เรเดียล th 22 uF ของแท้ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฝา UBW1J220MPD1TA สารส้ม22 uF 20% 63V เรเดียล th 22 uF ของแท้

฿3.37-6.73

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

GRM158D70E226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 22uF GRM158D70E226ME15 - Product Image 1

GRM158D70E226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 22uF GRM158D70E226ME15 - Product Image 2

GRM158D70E226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 22uF GRM158D70E226ME15 - Product Image 3

GRM158D70E226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 22uF GRM158D70E226ME15 - Product Image 4

GRM158D70E226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 22uF GRM158D70E226ME15 - Product Image 5

GRM158D70E226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 22uF GRM158D70E226ME15 - Product Image 6

GRM158D70E226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0402 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 22uF GRM158D70E226ME15

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบ SMD ชนิดอลูมิเนียม 22uF 20% 80V รุ่น AFK226M80F24VT-F - Product Image 1

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบ SMD ชนิดอลูมิเนียม 22uF 20% 80V รุ่น AFK226M80F24VT-F - Product Image 2

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบ SMD ชนิดอลูมิเนียม 22uF 20% 80V รุ่น AFK226M80F24VT-F - Product Image 3

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบ SMD ชนิดอลูมิเนียม 22uF 20% 80V รุ่น AFK226M80F24VT-F - Product Image 4

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบ SMD ชนิดอลูมิเนียม 22uF 20% 80V รุ่น AFK226M80F24VT-F - Product Image 5

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบ SMD ชนิดอลูมิเนียม 22uF 20% 80V รุ่น AFK226M80F24VT-F - Product Image 6

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบ SMD ชนิดอลูมิเนียม 22uF 20% 80V รุ่น AFK226M80F24VT-F

฿17.15-34.29

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 500 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

GRT32ER61E226KE13 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 25Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61E226KE13 - Product Image 1

GRT32ER61E226KE13 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 25Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61E226KE13 - Product Image 2

GRT32ER61E226KE13 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 25Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61E226KE13 - Product Image 3

GRT32ER61E226KE13 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 25Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61E226KE13 - Product Image 4

GRT32ER61E226KE13 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 25Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61E226KE13 - Product Image 5

GRT32ER61E226KE13 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 25Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61E226KE13 - Product Image 6

GRT32ER61E226KE13 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 22 F 25Vdc ±10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER61E226KE13

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 1

GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 2

GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 3

GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 4

GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 5

GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF - Product Image 6

GRM219R60G226ME66(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0805 22 F ± 4Vdc 20% X5R GRM219R60G226ME66 85 22uF

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

CNC5L1X7S1A226M160AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CNC5L1X7S1A226M160AE - Product Image 1

CNC5L1X7S1A226M160AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CNC5L1X7S1A226M160AE - Product Image 2

CNC5L1X7S1A226M160AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CNC5L1X7S1A226M160AE - Product Image 3

CNC5L1X7S1A226M160AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CNC5L1X7S1A226M160AE - Product Image 4

CNC5L1X7S1A226M160AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CNC5L1X7S1A226M160AE - Product Image 5

CNC5L1X7S1A226M160AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CNC5L1X7S1A226M160AE - Product Image 6

CNC5L1X7S1A226M160AE (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CNC5L1X7S1A226M160AE

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB30J226ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB30J226ME18 - Product Image 1

GRM31CB30J226ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB30J226ME18 - Product Image 2

GRM31CB30J226ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB30J226ME18 - Product Image 3

GRM31CB30J226ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB30J226ME18 - Product Image 4

GRM31CB30J226ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB30J226ME18 - Product Image 5

GRM31CB30J226ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB30J226ME18 - Product Image 6

GRM31CB30J226ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB30J226ME18

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs