All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

F 22

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุแบบยึดติดพื้นผิว22 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVE226M2AG24T-F SMD 22 uF 20% 100V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบยึดติดพื้นผิว22 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVE226M2AG24T-F SMD 22 uF 20% 100V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบยึดติดพื้นผิว22 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVE226M2AG24T-F SMD 22 uF 20% 100V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบยึดติดพื้นผิว22 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVE226M2AG24T-F SMD 22 uF 20% 100V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบยึดติดพื้นผิว22 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVE226M2AG24T-F SMD 22 uF 20% 100V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบยึดติดพื้นผิว22 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVE226M2AG24T-F SMD 22 uF 20% 100V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบยึดติดพื้นผิว22 uF ตัวเก็บประจุแบบ AVE226M2AG24T-F SMD 22 uF 20% 100V

฿15.47-30.59

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

C3216X6S1A226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1A226M160AB - Product Image 1

C3216X6S1A226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1A226M160AB - Product Image 2

C3216X6S1A226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1A226M160AB - Product Image 3

C3216X6S1A226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1A226M160AB - Product Image 4

C3216X6S1A226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1A226M160AB - Product Image 5

C3216X6S1A226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1A226M160AB - Product Image 6

C3216X6S1A226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1A226M160AB

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 1

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 2

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 3

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 4

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 5

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05 - Product Image 6

GRMJN7R61C226ME05(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0704 22 F ± 16Vdc 20% X5R 85 22uF GRMJN7R61C226ME05

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM188R60E226ME16(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X5R 85 22uF GRM188R60E226ME16 - Product Image 1

GRM188R60E226ME16(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X5R 85 22uF GRM188R60E226ME16 - Product Image 2

GRM188R60E226ME16(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X5R 85 22uF GRM188R60E226ME16 - Product Image 3

GRM188R60E226ME16(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X5R 85 22uF GRM188R60E226ME16 - Product Image 4

GRM188R60E226ME16(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X5R 85 22uF GRM188R60E226ME16 - Product Image 5

GRM188R60E226ME16(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X5R 85 22uF GRM188R60E226ME16 - Product Image 6

GRM188R60E226ME16(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X5R 85 22uF GRM188R60E226ME16

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM188R61A226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM188R61A226ME15 85 22uF - Product Image 1

GRM188R61A226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM188R61A226ME15 85 22uF - Product Image 2

GRM188R61A226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM188R61A226ME15 85 22uF - Product Image 3

GRM188R61A226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM188R61A226ME15 85 22uF - Product Image 4

GRM188R61A226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM188R61A226ME15 85 22uF - Product Image 5

GRM188R61A226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM188R61A226ME15 85 22uF - Product Image 6

GRM188R61A226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM188R61A226ME15 85 22uF

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 1

GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 2

GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 3

GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 4

GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 5

GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 6

GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21BR60J226ME39(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM21BR60J226ME39 85 22uF - Product Image 1

GRM21BR60J226ME39(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM21BR60J226ME39 85 22uF - Product Image 2

GRM21BR60J226ME39(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM21BR60J226ME39 85 22uF - Product Image 3

GRM21BR60J226ME39(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM21BR60J226ME39 85 22uF - Product Image 4

GRM21BR60J226ME39(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM21BR60J226ME39 85 22uF - Product Image 5

GRM21BR60J226ME39(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM21BR60J226ME39 85 22uF - Product Image 6

GRM21BR60J226ME39(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM21BR60J226ME39 85 22uF

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุ22 UF 20% 200V SMD ตัวเก็บประจุ22 UF ฝาครอบช่อง AEB226M2DL32T-F - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ22 UF 20% 200V SMD ตัวเก็บประจุ22 UF ฝาครอบช่อง AEB226M2DL32T-F - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ22 UF 20% 200V SMD ตัวเก็บประจุ22 UF ฝาครอบช่อง AEB226M2DL32T-F - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ22 UF 20% 200V SMD ตัวเก็บประจุ22 UF ฝาครอบช่อง AEB226M2DL32T-F - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ22 UF 20% 200V SMD ตัวเก็บประจุ22 UF ฝาครอบช่อง AEB226M2DL32T-F - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ22 UF 20% 200V SMD ตัวเก็บประจุ22 UF ฝาครอบช่อง AEB226M2DL32T-F - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ22 UF 20% 200V SMD ตัวเก็บประจุ22 UF ฝาครอบช่อง AEB226M2DL32T-F

฿33.61-66.89

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 150 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs