All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

F 22

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว SMD รุ่น AFK226M63E16T-F ความจุ 22 ไมโครฟารัด ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 63 โวลต์ ทำจากอะลูมิเนียม - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว SMD รุ่น AFK226M63E16T-F ความจุ 22 ไมโครฟารัด ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 63 โวลต์ ทำจากอะลูมิเนียม - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว SMD รุ่น AFK226M63E16T-F ความจุ 22 ไมโครฟารัด ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 63 โวลต์ ทำจากอะลูมิเนียม - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว SMD รุ่น AFK226M63E16T-F ความจุ 22 ไมโครฟารัด ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 63 โวลต์ ทำจากอะลูมิเนียม - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว SMD รุ่น AFK226M63E16T-F ความจุ 22 ไมโครฟารัด ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 63 โวลต์ ทำจากอะลูมิเนียม - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว SMD รุ่น AFK226M63E16T-F ความจุ 22 ไมโครฟารัด ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 63 โวลต์ ทำจากอะลูมิเนียม - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว SMD รุ่น AFK226M63E16T-F ความจุ 22 ไมโครฟารัด ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 63 โวลต์ ทำจากอะลูมิเนียม

฿14.79-32.94

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AVEK226M16C12T-F ขนาด 22 ไมโครฟารัด ความจุ 22uF ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 16 โวลต์ แบบติดตั้งบนพื้นผิว - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AVEK226M16C12T-F ขนาด 22 ไมโครฟารัด ความจุ 22uF ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 16 โวลต์ แบบติดตั้งบนพื้นผิว - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AVEK226M16C12T-F ขนาด 22 ไมโครฟารัด ความจุ 22uF ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 16 โวลต์ แบบติดตั้งบนพื้นผิว - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AVEK226M16C12T-F ขนาด 22 ไมโครฟารัด ความจุ 22uF ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 16 โวลต์ แบบติดตั้งบนพื้นผิว - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AVEK226M16C12T-F ขนาด 22 ไมโครฟารัด ความจุ 22uF ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 16 โวลต์ แบบติดตั้งบนพื้นผิว - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AVEK226M16C12T-F ขนาด 22 ไมโครฟารัด ความจุ 22uF ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 16 โวลต์ แบบติดตั้งบนพื้นผิว - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD รุ่น AVEK226M16C12T-F ขนาด 22 ไมโครฟารัด ความจุ 22uF ความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 16 โวลต์ แบบติดตั้งบนพื้นผิว

฿1.69-3.03

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 1

C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 2

C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 3

C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 4

C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 5

C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 6

C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRT32ER60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226ME01 - Product Image 1

GRT32ER60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226ME01 - Product Image 2

GRT32ER60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226ME01 - Product Image 3

GRT32ER60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226ME01 - Product Image 4

GRT32ER60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226ME01 - Product Image 5

GRT32ER60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226ME01 - Product Image 6

GRT32ER60J226ME01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32ER60J226ME01

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 1

C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 2

C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 3

C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 4

C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 5

C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 6

C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CR61C226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM31CR61C226ME15 85 22uF - Product Image 1

GRM31CR61C226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM31CR61C226ME15 85 22uF - Product Image 2

GRM31CR61C226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM31CR61C226ME15 85 22uF - Product Image 3

GRM31CR61C226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM31CR61C226ME15 85 22uF - Product Image 4

GRM31CR61C226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM31CR61C226ME15 85 22uF - Product Image 5

GRM31CR61C226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM31CR61C226ME15 85 22uF - Product Image 6

GRM31CR61C226ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X5R GRM31CR61C226ME15 85 22uF

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 1

C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 2

C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 3

C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 4

C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 5

C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC - Product Image 6

C3216X6S1C226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 22 F 16V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S1C226M160AC

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 1

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 2

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 3

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 4

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 5

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 6

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16

฿16.81-67.22

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs