All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM32ER61C476KE15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X5R GRM32ER61C476KE15 85 47uF - Product Image 1
GRM32ER61C476KE15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X5R GRM32ER61C476KE15 85 47uF - Product Image 2
GRM32ER61C476KE15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X5R GRM32ER61C476KE15 85 47uF - Product Image 3
GRM32ER61C476KE15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X5R GRM32ER61C476KE15 85 47uF - Product Image 4
GRM32ER61C476KE15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X5R GRM32ER61C476KE15 85 47uF - Product Image 5
GRM32ER61C476KE15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X5R GRM32ER61C476KE15 85 47uF - Product Image 6

GRM32ER61C476KE15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X5R GRM32ER61C476KE15 85 47uF

฿6.58-65.77
MOQ: 1
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 1
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 2
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 3
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 4
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 5
GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01 - Product Image 6

GCG32EC71H106KA01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF GCG32EC71H106KA01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ MCP1501T-40E/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 1
ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ MCP1501T-40E/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 2
ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ MCP1501T-40E/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 3
ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ MCP1501T-40E/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 4
ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ MCP1501T-40E/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 5
ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ MCP1501T-40E/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม - Product Image 6

ซื้อชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ MCP1501T-40E/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม

฿10.20-13.49
MOQ: 1
GRT188R60E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 2.5Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT188R60E226ME13 - Product Image 1
GRT188R60E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 2.5Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT188R60E226ME13 - Product Image 2
GRT188R60E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 2.5Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT188R60E226ME13 - Product Image 3
GRT188R60E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 2.5Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT188R60E226ME13 - Product Image 4
GRT188R60E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 2.5Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT188R60E226ME13 - Product Image 5
GRT188R60E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 2.5Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT188R60E226ME13 - Product Image 6

GRT188R60E226ME13(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 2.5Vdc ± 20% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT188R60E226ME13

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BC70G106ME45(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC70G106ME45 10uF - Product Image 1
GRM21BC70G106ME45(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC70G106ME45 10uF - Product Image 2
GRM21BC70G106ME45(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC70G106ME45 10uF - Product Image 3
GRM21BC70G106ME45(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC70G106ME45 10uF - Product Image 4
GRM21BC70G106ME45(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC70G106ME45 10uF - Product Image 5
GRM21BC70G106ME45(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC70G106ME45 10uF - Product Image 6

GRM21BC70G106ME45(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X7S 125 GRM21BC70G106ME45 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 1
GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 2
GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 3
GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 4
GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 5
GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01 - Product Image 6

GRM32DB11C106MA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32DB11C106MA01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM31CC81E226ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM31CC81E226ME11 - Product Image 1
GRM31CC81E226ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM31CC81E226ME11 - Product Image 2
GRM31CC81E226ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM31CC81E226ME11 - Product Image 3
GRM31CC81E226ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM31CC81E226ME11 - Product Image 4
GRM31CC81E226ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM31CC81E226ME11 - Product Image 5
GRM31CC81E226ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM31CC81E226ME11 - Product Image 6

GRM31CC81E226ME11(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F 25Vdc ± 20% X6S 105 22uF GRM31CC81E226ME11

฿16.45-65.77
MOQ: 1
KCM55TR7YA226MH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 35Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55TR7YA226MH01 - Product Image 1
KCM55TR7YA226MH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 35Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55TR7YA226MH01 - Product Image 2
KCM55TR7YA226MH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 35Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55TR7YA226MH01 - Product Image 3
KCM55TR7YA226MH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 35Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55TR7YA226MH01 - Product Image 4
KCM55TR7YA226MH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 35Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55TR7YA226MH01 - Product Image 5
KCM55TR7YA226MH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 35Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55TR7YA226MH01 - Product Image 6

KCM55TR7YA226MH01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 22 F 35Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 22uF KCM55TR7YA226MH01

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy