All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM21BB31D106KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 20Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31D106KE15 - Product Image 1
GRM21BB31D106KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 20Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31D106KE15 - Product Image 2
GRM21BB31D106KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 20Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31D106KE15 - Product Image 3
GRM21BB31D106KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 20Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31D106KE15 - Product Image 4
GRM21BB31D106KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 20Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31D106KE15 - Product Image 5
GRM21BB31D106KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 20Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31D106KE15 - Product Image 6

GRM21BB31D106KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 20Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31D106KE15

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32DR60J226KA01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32DR60J226KA01 - Product Image 1
GRM32DR60J226KA01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32DR60J226KA01 - Product Image 2
GRM32DR60J226KA01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32DR60J226KA01 - Product Image 3
GRM32DR60J226KA01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32DR60J226KA01 - Product Image 4
GRM32DR60J226KA01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32DR60J226KA01 - Product Image 5
GRM32DR60J226KA01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32DR60J226KA01 - Product Image 6

GRM32DR60J226KA01 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 22uF GRM32DR60J226KA01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
MCP1501T-40E จัดการพลังงาน/CHY (PMIC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ SOT 23 6 IC VREF ซีรีส์4.096V SOT23 6 - Product Image 1
MCP1501T-40E จัดการพลังงาน/CHY (PMIC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ SOT 23 6 IC VREF ซีรีส์4.096V SOT23 6 - Product Image 2
MCP1501T-40E จัดการพลังงาน/CHY (PMIC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ SOT 23 6 IC VREF ซีรีส์4.096V SOT23 6 - Product Image 3
MCP1501T-40E จัดการพลังงาน/CHY (PMIC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ SOT 23 6 IC VREF ซีรีส์4.096V SOT23 6 - Product Image 4
MCP1501T-40E จัดการพลังงาน/CHY (PMIC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ SOT 23 6 IC VREF ซีรีส์4.096V SOT23 6 - Product Image 5
MCP1501T-40E จัดการพลังงาน/CHY (PMIC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ SOT 23 6 IC VREF ซีรีส์4.096V SOT23 6 - Product Image 6

MCP1501T-40E จัดการพลังงาน/CHY (PMIC) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ออนไลน์ SOT 23 6 IC VREF ซีรีส์4.096V SOT23 6

฿10.20-13.49
MOQ: 1
GRM188D70J226ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 22uF GRM188D70J226ME01 - Product Image 1
GRM188D70J226ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 22uF GRM188D70J226ME01 - Product Image 2
GRM188D70J226ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 22uF GRM188D70J226ME01 - Product Image 3
GRM188D70J226ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 22uF GRM188D70J226ME01 - Product Image 4
GRM188D70J226ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 22uF GRM188D70J226ME01 - Product Image 5
GRM188D70J226ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 22uF GRM188D70J226ME01 - Product Image 6

GRM188D70J226ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X7T 125 22uF GRM188D70J226ME01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640DT-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ไอซีแท้ REG BOOST ADJ 350MA SOT23 6 - Product Image 1
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640DT-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ไอซีแท้ REG BOOST ADJ 350MA SOT23 6 - Product Image 2
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640DT-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ไอซีแท้ REG BOOST ADJ 350MA SOT23 6 - Product Image 3
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640DT-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ไอซีแท้ REG BOOST ADJ 350MA SOT23 6 - Product Image 4
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640DT-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ไอซีแท้ REG BOOST ADJ 350MA SOT23 6 - Product Image 5
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640DT-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ไอซีแท้ REG BOOST ADJ 350MA SOT23 6 - Product Image 6

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ MCP1640DT-I/CHY SOT 23 6 ตัวจัดการพลังงาน (PMIC) ไอซีแท้ REG BOOST ADJ 350MA SOT23 6

฿9.87-12.83
MOQ: 1
GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 1
GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 2
GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 3
GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 4
GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 5
GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47 - Product Image 6

GRM21AR60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM21AR60J226ME47

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM319B10J106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B10J106KE01 - Product Image 1
GRM319B10J106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B10J106KE01 - Product Image 2
GRM319B10J106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B10J106KE01 - Product Image 3
GRM319B10J106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B10J106KE01 - Product Image 4
GRM319B10J106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B10J106KE01 - Product Image 5
GRM319B10J106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B10J106KE01 - Product Image 6

GRM319B10J106KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B10J106KE01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GCJ188D70E226ME02(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 22 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCJ188D70E226ME02 - Product Image 1
GCJ188D70E226ME02(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 22 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCJ188D70E226ME02 - Product Image 2
GCJ188D70E226ME02(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 22 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCJ188D70E226ME02 - Product Image 3
GCJ188D70E226ME02(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 22 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCJ188D70E226ME02 - Product Image 4
GCJ188D70E226ME02(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 22 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCJ188D70E226ME02 - Product Image 5
GCJ188D70E226ME02(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 22 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCJ188D70E226ME02 - Product Image 6

GCJ188D70E226ME02(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 0603 22 F 2.5Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCJ188D70E226ME02

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy