All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM188B30G106ME46(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30G106ME46 - Product Image 1
GRM188B30G106ME46(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30G106ME46 - Product Image 2
GRM188B30G106ME46(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30G106ME46 - Product Image 3
GRM188B30G106ME46(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30G106ME46 - Product Image 4
GRM188B30G106ME46(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30G106ME46 - Product Image 5
GRM188B30G106ME46(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30G106ME46 - Product Image 6

GRM188B30G106ME46(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30G106ME46

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GCM32EC71H106MA03(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GCM32EC71H106MA03 10uF - Product Image 1
GCM32EC71H106MA03(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GCM32EC71H106MA03 10uF - Product Image 2
GCM32EC71H106MA03(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GCM32EC71H106MA03 10uF - Product Image 3
GCM32EC71H106MA03(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GCM32EC71H106MA03 10uF - Product Image 4
GCM32EC71H106MA03(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GCM32EC71H106MA03 10uF - Product Image 5
GCM32EC71H106MA03(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GCM32EC71H106MA03 10uF - Product Image 6

GCM32EC71H106MA03(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 50Vdc ± 20% X7S 125 AEC-Q200 GCM32EC71H106MA03 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 1
GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 2
GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 3
GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 4
GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 5
GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15 - Product Image 6

GRM21BB30J476ME15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM21BB30J476ME15

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 1
GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 2
GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 3
GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 4
GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 5
GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15 - Product Image 6

GRM188C80J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80J226ME15

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 1
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 2
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 3
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 4
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 5
GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 6

GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32DR61E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61E106MA12 - Product Image 1
GRM32DR61E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61E106MA12 - Product Image 2
GRM32DR61E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61E106MA12 - Product Image 3
GRM32DR61E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61E106MA12 - Product Image 4
GRM32DR61E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61E106MA12 - Product Image 5
GRM32DR61E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61E106MA12 - Product Image 6

GRM32DR61E106MA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่แบบ MLCC) 1210 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GRM32DR61E106MA12

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 1
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 2
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 3
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 4
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 5
GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15 - Product Image 6

GRM32ED71A476KE15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 10% X7T 125 47uF GRM32ED71A476KE15

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BR61C106ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM21BR61C106ME15 - Product Image 1
GRM21BR61C106ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM21BR61C106ME15 - Product Image 2
GRM21BR61C106ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM21BR61C106ME15 - Product Image 3
GRM21BR61C106ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM21BR61C106ME15 - Product Image 4
GRM21BR61C106ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM21BR61C106ME15 - Product Image 5
GRM21BR61C106ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM21BR61C106ME15 - Product Image 6

GRM21BR61C106ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM21BR61C106ME15

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy