All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 1
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 2
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 3
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 4
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 5
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 6

KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 1
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 2
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 3
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 4
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 5
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 6

ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 1
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 2
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 3
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 4
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 5
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 6

GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 1
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 2
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 3
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 4
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 5
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 6

GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 1
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 2
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 3
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 4
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 5
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 6

GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12

฿16.45-65.77
MOQ: 1
KRM21FC81E106KFA1ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 KRM21FC81E106KFA1 10uF - Product Image 1
KRM21FC81E106KFA1ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 KRM21FC81E106KFA1 10uF - Product Image 2
KRM21FC81E106KFA1ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 KRM21FC81E106KFA1 10uF - Product Image 3
KRM21FC81E106KFA1ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 KRM21FC81E106KFA1 10uF - Product Image 4
KRM21FC81E106KFA1ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 KRM21FC81E106KFA1 10uF - Product Image 5
KRM21FC81E106KFA1ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 KRM21FC81E106KFA1 10uF - Product Image 6

KRM21FC81E106KFA1ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X6S 105 KRM21FC81E106KFA1 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRJ32ER70J476KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 1
GRJ32ER70J476KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 2
GRJ32ER70J476KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 3
GRJ32ER70J476KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 4
GRJ32ER70J476KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 5
GRJ32ER70J476KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11 - Product Image 6

GRJ32ER70J476KE11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 6.3Vdc 10% X7R 125 47uF GRJ32ER70J476KE11

฿6.58-65.77
MOQ: 1
KRM31FR61E106KH01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 10 F 25Vdc ± 10% X5R KRM31FR61E106KH01 85 10uF - Product Image 1
KRM31FR61E106KH01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 10 F 25Vdc ± 10% X5R KRM31FR61E106KH01 85 10uF - Product Image 2
KRM31FR61E106KH01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 10 F 25Vdc ± 10% X5R KRM31FR61E106KH01 85 10uF - Product Image 3
KRM31FR61E106KH01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 10 F 25Vdc ± 10% X5R KRM31FR61E106KH01 85 10uF - Product Image 4
KRM31FR61E106KH01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 10 F 25Vdc ± 10% X5R KRM31FR61E106KH01 85 10uF - Product Image 5
KRM31FR61E106KH01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 10 F 25Vdc ± 10% X5R KRM31FR61E106KH01 85 10uF - Product Image 6

KRM31FR61E106KH01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 10 F 25Vdc ± 10% X5R KRM31FR61E106KH01 85 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy