All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM32ER71C226KEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 10% X7R 125 22uF GRM32ER71C226KEA8 - Product Image 1
GRM32ER71C226KEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 10% X7R 125 22uF GRM32ER71C226KEA8 - Product Image 2
GRM32ER71C226KEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 10% X7R 125 22uF GRM32ER71C226KEA8 - Product Image 3
GRM32ER71C226KEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 10% X7R 125 22uF GRM32ER71C226KEA8 - Product Image 4
GRM32ER71C226KEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 10% X7R 125 22uF GRM32ER71C226KEA8 - Product Image 5
GRM32ER71C226KEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 10% X7R 125 22uF GRM32ER71C226KEA8 - Product Image 6

GRM32ER71C226KEA8(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 22 F ± 16Vdc 10% X7R 125 22uF GRM32ER71C226KEA8

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM32ER71A226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71A226ME20 - Product Image 1
GRM32ER71A226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71A226ME20 - Product Image 2
GRM32ER71A226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71A226ME20 - Product Image 3
GRM32ER71A226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71A226ME20 - Product Image 4
GRM32ER71A226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71A226ME20 - Product Image 5
GRM32ER71A226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71A226ME20 - Product Image 6

GRM32ER71A226ME20(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 22 F ± 10Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71A226ME20

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM21BC80J106ME19(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80J106ME19 10uF - Product Image 1
GRM21BC80J106ME19(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80J106ME19 10uF - Product Image 2
GRM21BC80J106ME19(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80J106ME19 10uF - Product Image 3
GRM21BC80J106ME19(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80J106ME19 10uF - Product Image 4
GRM21BC80J106ME19(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80J106ME19 10uF - Product Image 5
GRM21BC80J106ME19(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80J106ME19 10uF - Product Image 6

GRM21BC80J106ME19(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูงตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80J106ME19 10uF

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM21BR61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM21BR61E106KA73 85 10uF - Product Image 1
GRM21BR61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM21BR61E106KA73 85 10uF - Product Image 2
GRM21BR61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM21BR61E106KA73 85 10uF - Product Image 3
GRM21BR61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM21BR61E106KA73 85 10uF - Product Image 4
GRM21BR61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM21BR61E106KA73 85 10uF - Product Image 5
GRM21BR61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM21BR61E106KA73 85 10uF - Product Image 6

GRM21BR61E106KA73(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R GRM21BR61E106KA73 85 10uF

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRT31CC81C106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81C106ME01 - Product Image 1
GRT31CC81C106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81C106ME01 - Product Image 2
GRT31CC81C106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81C106ME01 - Product Image 3
GRT31CC81C106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81C106ME01 - Product Image 4
GRT31CC81C106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81C106ME01 - Product Image 5
GRT31CC81C106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81C106ME01 - Product Image 6

GRT31CC81C106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT31CC81C106ME01

฿16.25-64.99
MOQ: 1
KRM55TR71E336MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 33 F 25Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55TR71E336MH01 - Product Image 1
KRM55TR71E336MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 33 F 25Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55TR71E336MH01 - Product Image 2
KRM55TR71E336MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 33 F 25Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55TR71E336MH01 - Product Image 3
KRM55TR71E336MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 33 F 25Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55TR71E336MH01 - Product Image 4
KRM55TR71E336MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 33 F 25Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55TR71E336MH01 - Product Image 5
KRM55TR71E336MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 33 F 25Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55TR71E336MH01 - Product Image 6

KRM55TR71E336MH01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 33 F 25Vdc ± 20% X7R 125 33uF KRM55TR71E336MH01

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM31CD70J226ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F 6.3Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM31CD70J226ME19 - Product Image 1
GRM31CD70J226ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F 6.3Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM31CD70J226ME19 - Product Image 2
GRM31CD70J226ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F 6.3Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM31CD70J226ME19 - Product Image 3
GRM31CD70J226ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F 6.3Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM31CD70J226ME19 - Product Image 4
GRM31CD70J226ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F 6.3Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM31CD70J226ME19 - Product Image 5
GRM31CD70J226ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F 6.3Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM31CD70J226ME19 - Product Image 6

GRM31CD70J226ME19(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1206 22 F 6.3Vdc ± 20% X7T 125 22uF GRM31CD70J226ME19

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM32EC72A106KE05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ± 10% X7S 125 GRM32EC72A106KE05 10uF - Product Image 1
GRM32EC72A106KE05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ± 10% X7S 125 GRM32EC72A106KE05 10uF - Product Image 2
GRM32EC72A106KE05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ± 10% X7S 125 GRM32EC72A106KE05 10uF - Product Image 3
GRM32EC72A106KE05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ± 10% X7S 125 GRM32EC72A106KE05 10uF - Product Image 4
GRM32EC72A106KE05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ± 10% X7S 125 GRM32EC72A106KE05 10uF - Product Image 5
GRM32EC72A106KE05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ± 10% X7S 125 GRM32EC72A106KE05 10uF - Product Image 6

GRM32EC72A106KE05(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 100Vdc ± 10% X7S 125 GRM32EC72A106KE05 10uF

฿16.25-64.99
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy