All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRT188R60J106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R60J106ME13 - Product Image 1
GRT188R60J106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R60J106ME13 - Product Image 2
GRT188R60J106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R60J106ME13 - Product Image 3
GRT188R60J106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R60J106ME13 - Product Image 4
GRT188R60J106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R60J106ME13 - Product Image 5
GRT188R60J106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R60J106ME13 - Product Image 6

GRT188R60J106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 10 ฟิวต์ 6.3Vdc ±20% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT188R60J106ME13

฿16.33-65.30
MOQ: 1
GRM32DB30J336ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 33 F 6.3Vdc ± 20% B 85 33uF GRM32DB30J336ME18 - Product Image 1
GRM32DB30J336ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 33 F 6.3Vdc ± 20% B 85 33uF GRM32DB30J336ME18 - Product Image 2
GRM32DB30J336ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 33 F 6.3Vdc ± 20% B 85 33uF GRM32DB30J336ME18 - Product Image 3
GRM32DB30J336ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 33 F 6.3Vdc ± 20% B 85 33uF GRM32DB30J336ME18 - Product Image 4
GRM32DB30J336ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 33 F 6.3Vdc ± 20% B 85 33uF GRM32DB30J336ME18 - Product Image 5
GRM32DB30J336ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 33 F 6.3Vdc ± 20% B 85 33uF GRM32DB30J336ME18 - Product Image 6

GRM32DB30J336ME18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 33 F 6.3Vdc ± 20% B 85 33uF GRM32DB30J336ME18

฿16.33-65.30
MOQ: 1
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 1
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 2
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 3
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 4
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 5
GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11 - Product Image 6

GRJ32ER71A476ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 47 F ± 10Vdc 20% X7R 125 47uF GRJ32ER71A476ME11

฿6.53-65.30
MOQ: 1
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 1
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 2
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 3
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 4
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 5
KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01 - Product Image 6

KCM55TR72A106MH01ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์10 F 100Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55TR72A106MH01

฿16.33-65.30
MOQ: 1
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 1
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 2
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 3
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 4
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 5
ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01 - Product Image 6

ZRB18AC81A106ME01(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 10Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRB18AC81A106ME01

฿16.33-65.30
MOQ: 1
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 1
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 2
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 3
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 4
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 5
GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF - Product Image 6

GRM21BR61A226ME51(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 22 F ± 10Vdc 20% X5R GRM21BR61A226ME51 85 22uF

฿16.33-65.30
MOQ: 1
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 1
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 2
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 3
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 4
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 5
GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13 - Product Image 6

GXT188R61C106KE13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0603 10 F 16Vdc ±10% X5R 85 10uF GXT188R61C106KE13

฿16.33-65.30
MOQ: 1
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 1
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 2
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 3
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 4
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 5
GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12 - Product Image 6

GRM219R61E106MA12(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM219R61E106MA12

฿16.33-65.30
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy