All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM219R60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM219R60J226ME47 - Product Image 1
GRM219R60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM219R60J226ME47 - Product Image 2
GRM219R60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM219R60J226ME47 - Product Image 3
GRM219R60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM219R60J226ME47 - Product Image 4
GRM219R60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM219R60J226ME47 - Product Image 5
GRM219R60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM219R60J226ME47 - Product Image 6

GRM219R60J226ME47(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R 85 22uF GRM219R60J226ME47

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GRT188C81A106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81A106ME13 - Product Image 1
GRT188C81A106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81A106ME13 - Product Image 2
GRT188C81A106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81A106ME13 - Product Image 3
GRT188C81A106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81A106ME13 - Product Image 4
GRT188C81A106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81A106ME13 - Product Image 5
GRT188C81A106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81A106ME13 - Product Image 6

GRT188C81A106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 10Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C81A106ME13

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GRT21BR61E106KE13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61E106KE13 - Product Image 1
GRT21BR61E106KE13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61E106KE13 - Product Image 2
GRT21BR61E106KE13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61E106KE13 - Product Image 3
GRT21BR61E106KE13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61E106KE13 - Product Image 4
GRT21BR61E106KE13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61E106KE13 - Product Image 5
GRT21BR61E106KE13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61E106KE13 - Product Image 6

GRT21BR61E106KE13(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 0805 10 F 25Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 10uF GRT21BR61E106KE13

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 1
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 2
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 3
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 4
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 5
MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด - Product Image 6

MCP1502T-12E ชิป VREF 1.25V SOT23-6ของแท้ใหม่ล่าสุด

฿3.39-27.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
ApexCore HK Technology Limited
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(9)
บอร์ดโมดูลไร้สายโมดูลไร้สาย MCU, WT32-ETH01 ESP32เครือข่ายอีเธอร์เน็ตที่เข้ากันได้กับเกตเวย์คอมโบเกตเวย์ - Product Image 1
บอร์ดโมดูลไร้สายโมดูลไร้สาย MCU, WT32-ETH01 ESP32เครือข่ายอีเธอร์เน็ตที่เข้ากันได้กับเกตเวย์คอมโบเกตเวย์ - Product Image 2
บอร์ดโมดูลไร้สายโมดูลไร้สาย MCU, WT32-ETH01 ESP32เครือข่ายอีเธอร์เน็ตที่เข้ากันได้กับเกตเวย์คอมโบเกตเวย์ - Product Image 3
บอร์ดโมดูลไร้สายโมดูลไร้สาย MCU, WT32-ETH01 ESP32เครือข่ายอีเธอร์เน็ตที่เข้ากันได้กับเกตเวย์คอมโบเกตเวย์ - Product Image 4
บอร์ดโมดูลไร้สายโมดูลไร้สาย MCU, WT32-ETH01 ESP32เครือข่ายอีเธอร์เน็ตที่เข้ากันได้กับเกตเวย์คอมโบเกตเวย์ - Product Image 5
บอร์ดโมดูลไร้สายโมดูลไร้สาย MCU, WT32-ETH01 ESP32เครือข่ายอีเธอร์เน็ตที่เข้ากันได้กับเกตเวย์คอมโบเกตเวย์ - Product Image 6

บอร์ดโมดูลไร้สายโมดูลไร้สาย MCU, WT32-ETH01 ESP32เครือข่ายอีเธอร์เน็ตที่เข้ากันได้กับเกตเวย์คอมโบเกตเวย์

฿155.59-162.36
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 1
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 2
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 3
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 4
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 5
GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36 - Product Image 6

GCM155D70E106ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 0402 10 F 2.5Vdc ± 20% X7T 125 AEC-Q200 10uF GCM155D70E106ME36

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 1
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 2
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 3
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 4
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 5
GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13 - Product Image 6

GRT188C80J106ME13ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์ชี่0603 10 F 6.3Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT188C80J106ME13

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 1
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 2
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 3
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 4
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 5
GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19 - Product Image 6

GRM219R60J106KE19 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% X5R 85 10uF GRM219R60J106KE19

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy