All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GCG31CR70J226ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCG31CR70J226ME01 - Product Image 1
GCG31CR70J226ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCG31CR70J226ME01 - Product Image 2
GCG31CR70J226ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCG31CR70J226ME01 - Product Image 3
GCG31CR70J226ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCG31CR70J226ME01 - Product Image 4
GCG31CR70J226ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCG31CR70J226ME01 - Product Image 5
GCG31CR70J226ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCG31CR70J226ME01 - Product Image 6

GCG31CR70J226ME01(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 22 F 6.3Vdc ±20% X7R 125 AEC-Q200 22uF GCG31CR70J226ME01

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GRM31CB31E226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31E226ME15 - Product Image 1
GRM31CB31E226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31E226ME15 - Product Image 2
GRM31CB31E226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31E226ME15 - Product Image 3
GRM31CB31E226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31E226ME15 - Product Image 4
GRM31CB31E226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31E226ME15 - Product Image 5
GRM31CB31E226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31E226ME15 - Product Image 6

GRM31CB31E226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 22 F ± 25Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31E226ME15

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GRM188C81C106MA73(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM188C81C106MA73 10uF - Product Image 1
GRM188C81C106MA73(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM188C81C106MA73 10uF - Product Image 2
GRM188C81C106MA73(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM188C81C106MA73 10uF - Product Image 3
GRM188C81C106MA73(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM188C81C106MA73 10uF - Product Image 4
GRM188C81C106MA73(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM188C81C106MA73 10uF - Product Image 5
GRM188C81C106MA73(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM188C81C106MA73 10uF - Product Image 6

GRM188C81C106MA73(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 16Vdc ± 20% X6S 105 GRM188C81C106MA73 10uF

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GRM155D70G106ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 GRM155D70G106ME18 10uF - Product Image 1
GRM155D70G106ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 GRM155D70G106ME18 10uF - Product Image 2
GRM155D70G106ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 GRM155D70G106ME18 10uF - Product Image 3
GRM155D70G106ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 GRM155D70G106ME18 10uF - Product Image 4
GRM155D70G106ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 GRM155D70G106ME18 10uF - Product Image 5
GRM155D70G106ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 GRM155D70G106ME18 10uF - Product Image 6

GRM155D70G106ME18(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0402 10 F 4Vdc ± 20% X7T 125 GRM155D70G106ME18 10uF

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GCJ32ER71E106KA18ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ32ER71E106KA18 - Product Image 1
GCJ32ER71E106KA18ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ32ER71E106KA18 - Product Image 2
GCJ32ER71E106KA18ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ32ER71E106KA18 - Product Image 3
GCJ32ER71E106KA18ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ32ER71E106KA18 - Product Image 4
GCJ32ER71E106KA18ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ32ER71E106KA18 - Product Image 5
GCJ32ER71E106KA18ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ32ER71E106KA18 - Product Image 6

GCJ32ER71E106KA18ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 25Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCJ32ER71E106KA18

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GCM32DL81A106KA37ตัวเก็บประจุ10 F 10Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF - Product Image 1
GCM32DL81A106KA37ตัวเก็บประจุ10 F 10Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF - Product Image 2
GCM32DL81A106KA37ตัวเก็บประจุ10 F 10Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF - Product Image 3
GCM32DL81A106KA37ตัวเก็บประจุ10 F 10Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF - Product Image 4
GCM32DL81A106KA37ตัวเก็บประจุ10 F 10Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF - Product Image 5
GCM32DL81A106KA37ตัวเก็บประจุ10 F 10Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF - Product Image 6

GCM32DL81A106KA37ตัวเก็บประจุ10 F 10Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
ZRB186R60G226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X5R 85 22uF ZRB186R60G226ME11 - Product Image 1
ZRB186R60G226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X5R 85 22uF ZRB186R60G226ME11 - Product Image 2
ZRB186R60G226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X5R 85 22uF ZRB186R60G226ME11 - Product Image 3
ZRB186R60G226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X5R 85 22uF ZRB186R60G226ME11 - Product Image 4
ZRB186R60G226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X5R 85 22uF ZRB186R60G226ME11 - Product Image 5
ZRB186R60G226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X5R 85 22uF ZRB186R60G226ME11 - Product Image 6

ZRB186R60G226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X5R 85 22uF ZRB186R60G226ME11

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 1
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 2
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 3
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 4
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 5
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 6

GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(452)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy