All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(มีสินค้า 999+ รายการ)

KCM55WR71E476MH01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 47 F 25Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF KCM55WR71E476MH01 - Product Image 1
KCM55WR71E476MH01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 47 F 25Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF KCM55WR71E476MH01 - Product Image 2
KCM55WR71E476MH01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 47 F 25Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF KCM55WR71E476MH01 - Product Image 3
KCM55WR71E476MH01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 47 F 25Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF KCM55WR71E476MH01 - Product Image 4
KCM55WR71E476MH01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 47 F 25Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF KCM55WR71E476MH01 - Product Image 5
KCM55WR71E476MH01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 47 F 25Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF KCM55WR71E476MH01 - Product Image 6

KCM55WR71E476MH01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 47 F 25Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 47uF KCM55WR71E476MH01

฿6.77-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
KCM55LR7YA106KH01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 35Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55LR7YA106KH01 - Product Image 1
KCM55LR7YA106KH01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 35Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55LR7YA106KH01 - Product Image 2
KCM55LR7YA106KH01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 35Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55LR7YA106KH01 - Product Image 3
KCM55LR7YA106KH01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 35Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55LR7YA106KH01 - Product Image 4
KCM55LR7YA106KH01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 35Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55LR7YA106KH01 - Product Image 5
KCM55LR7YA106KH01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 35Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55LR7YA106KH01 - Product Image 6

KCM55LR7YA106KH01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 35Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF KCM55LR7YA106KH01

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
GRM188R60G106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% X5R GRM188R60G106ME47 85 10uF - Product Image 1
GRM188R60G106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% X5R GRM188R60G106ME47 85 10uF - Product Image 2
GRM188R60G106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% X5R GRM188R60G106ME47 85 10uF - Product Image 3
GRM188R60G106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% X5R GRM188R60G106ME47 85 10uF - Product Image 4
GRM188R60G106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% X5R GRM188R60G106ME47 85 10uF - Product Image 5
GRM188R60G106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% X5R GRM188R60G106ME47 85 10uF - Product Image 6

GRM188R60G106ME47(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 4Vdc ± 20% X5R GRM188R60G106ME47 85 10uF

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 1
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 2
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 3
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 4
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 5
GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19 - Product Image 6

GRM32NB31A226ME19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 20% B 85 22uF GRM32NB31A226ME19

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
GRT32DR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 1
GRT32DR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 2
GRT32DR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 3
GRT32DR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 4
GRT32DR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 5
GRT32DR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01 - Product Image 6

GRT32DR60J226KE01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F 6.3Vdc ± 10% X5R 85 AEC-Q200 22uF GRT32DR60J226KE01

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
GRM219R60J186ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 18 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 18uF GRM219R60J186ME47 - Product Image 1
GRM219R60J186ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 18 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 18uF GRM219R60J186ME47 - Product Image 2
GRM219R60J186ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 18 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 18uF GRM219R60J186ME47 - Product Image 3
GRM219R60J186ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 18 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 18uF GRM219R60J186ME47 - Product Image 4
GRM219R60J186ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 18 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 18uF GRM219R60J186ME47 - Product Image 5
GRM219R60J186ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 18 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 18uF GRM219R60J186ME47 - Product Image 6

GRM219R60J186ME47 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 18 F 6.3Vdc ±20% X5R 85 18uF GRM219R60J186ME47

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
GXT21BR61C226ME13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GXT21BR61C226ME13 - Product Image 1
GXT21BR61C226ME13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GXT21BR61C226ME13 - Product Image 2
GXT21BR61C226ME13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GXT21BR61C226ME13 - Product Image 3
GXT21BR61C226ME13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GXT21BR61C226ME13 - Product Image 4
GXT21BR61C226ME13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GXT21BR61C226ME13 - Product Image 5
GXT21BR61C226ME13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GXT21BR61C226ME13 - Product Image 6

GXT21BR61C226ME13(ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ของ CHY Electronics) 0805 22 F 16Vdc ±20% X5R 85 22uF GXT21BR61C226ME13

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)
GRM188B30J106ME84(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 1
GRM188B30J106ME84(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 2
GRM188B30J106ME84(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 3
GRM188B30J106ME84(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 4
GRM188B30J106ME84(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 5
GRM188B30J106ME84(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84 - Product Image 6

GRM188B30J106ME84(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM188B30J106ME84

฿16.92-67.65
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(459)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy