All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640DT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 1
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640DT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 2
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640DT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 3
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640DT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 4
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640DT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 5
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640DT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก - Product Image 6

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Power Management (PMIC) SOT 23 6 MCP1640DT-I/CHY ไอซี BOM มีสินค้าในสต็อก

฿9.75-12.68
MOQ: 1
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 1
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 2
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 3
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 4
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 5
GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8 - Product Image 6

GRM32ER71C226MEA8(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 1206 22 F ± 16Vdc 20% X7R 125 22uF GRM32ER71C226MEA8

฿16.25-64.99
MOQ: 1
KRM21FR61E226MFA1ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์22 F 25Vdc ± 20% X5R 85 22uF KRM21FR61E226MFA1 - Product Image 1
KRM21FR61E226MFA1ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์22 F 25Vdc ± 20% X5R 85 22uF KRM21FR61E226MFA1 - Product Image 2
KRM21FR61E226MFA1ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์22 F 25Vdc ± 20% X5R 85 22uF KRM21FR61E226MFA1 - Product Image 3
KRM21FR61E226MFA1ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์22 F 25Vdc ± 20% X5R 85 22uF KRM21FR61E226MFA1 - Product Image 4
KRM21FR61E226MFA1ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์22 F 25Vdc ± 20% X5R 85 22uF KRM21FR61E226MFA1 - Product Image 5
KRM21FR61E226MFA1ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์22 F 25Vdc ± 20% X5R 85 22uF KRM21FR61E226MFA1 - Product Image 6

KRM21FR61E226MFA1ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบอิเล็กทรอนิกส์22 F 25Vdc ± 20% X5R 85 22uF KRM21FR61E226MFA1

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 1
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 2
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 3
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 4
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 5
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 6

GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 1
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 2
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 3
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 4
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 5
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 6

GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 1
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 2
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 3
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 4
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 5
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 6

GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 1
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 2
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 3
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 4
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 5
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 6

GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF

฿16.25-64.99
MOQ: 1
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 1
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 2
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 3
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 4
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 5
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 6

GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01

฿16.25-64.99
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy