All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 1
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 2
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 3
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 4
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 5
GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15 - Product Image 6

GRM188C80G226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 4Vdc 20% X6S 105 22uF GRM188C80G226ME15

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 1
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 2
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 3
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 4
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 5
GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13 - Product Image 6

GXT188R61E106ME13 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 25Vdc ±20% X5R 85 10uF GXT188R61E106ME13

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 1
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 2
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 3
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 4
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 5
GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01 - Product Image 6

GRT32DC81A106KE01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200 10uF GRT32DC81A106KE01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 1
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 2
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 3
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 4
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 5
GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF - Product Image 6

GCM32EC7YA106KA03ตัวเก็บประจุ10 F 35Vdc 10% X7S 125 AEC-Q200 10uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 1
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 2
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 3
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 4
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 5
GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01 - Product Image 6

GRM188R60G476ME01(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME01

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM31CR61C106MA88(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR61C106MA88 - Product Image 1
GRM31CR61C106MA88(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR61C106MA88 - Product Image 2
GRM31CR61C106MA88(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR61C106MA88 - Product Image 3
GRM31CR61C106MA88(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR61C106MA88 - Product Image 4
GRM31CR61C106MA88(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR61C106MA88 - Product Image 5
GRM31CR61C106MA88(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR61C106MA88 - Product Image 6

GRM31CR61C106MA88(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1206 10 F 16Vdc ± 20% X5R 85 10uF GRM31CR61C106MA88

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GCM21BR71A106KE22ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM21BR71A106KE22 - Product Image 1
GCM21BR71A106KE22ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM21BR71A106KE22 - Product Image 2
GCM21BR71A106KE22ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM21BR71A106KE22 - Product Image 3
GCM21BR71A106KE22ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM21BR71A106KE22 - Product Image 4
GCM21BR71A106KE22ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM21BR71A106KE22 - Product Image 5
GCM21BR71A106KE22ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM21BR71A106KE22 - Product Image 6

GCM21BR71A106KE22ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 10% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCM21BR71A106KE22

฿16.45-65.77
MOQ: 1
GRM186R60J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM186R60J226ME15 85 22uF - Product Image 1
GRM186R60J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM186R60J226ME15 85 22uF - Product Image 2
GRM186R60J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM186R60J226ME15 85 22uF - Product Image 3
GRM186R60J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM186R60J226ME15 85 22uF - Product Image 4
GRM186R60J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM186R60J226ME15 85 22uF - Product Image 5
GRM186R60J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM186R60J226ME15 85 22uF - Product Image 6

GRM186R60J226ME15(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก SMD) 0603 22 F ± 6.3Vdc 20% X5R GRM186R60J226ME15 85 22uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy