All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Chy

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM21BR61H106KE43(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF GRM21BR61H106KE43 - Product Image 1
GRM21BR61H106KE43(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF GRM21BR61H106KE43 - Product Image 2
GRM21BR61H106KE43(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF GRM21BR61H106KE43 - Product Image 3
GRM21BR61H106KE43(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF GRM21BR61H106KE43 - Product Image 4
GRM21BR61H106KE43(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF GRM21BR61H106KE43 - Product Image 5
GRM21BR61H106KE43(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF GRM21BR61H106KE43 - Product Image 6

GRM21BR61H106KE43(CHY อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 50Vdc ± 10% X5R 85 10uF GRM21BR61H106KE43

฿16.51-66.03
MOQ: 1
GRM188R60G476ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME15 - Product Image 1
GRM188R60G476ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME15 - Product Image 2
GRM188R60G476ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME15 - Product Image 3
GRM188R60G476ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME15 - Product Image 4
GRM188R60G476ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME15 - Product Image 5
GRM188R60G476ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME15 - Product Image 6

GRM188R60G476ME15(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0603 47 F ± 4Vdc 20% X5R 85 47uF GRM188R60G476ME15

฿16.51-66.03
MOQ: 1
GCJ31CD7YA106KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 35Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 GCJ31CD7YA106KE02 10uF - Product Image 1
GCJ31CD7YA106KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 35Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 GCJ31CD7YA106KE02 10uF - Product Image 2
GCJ31CD7YA106KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 35Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 GCJ31CD7YA106KE02 10uF - Product Image 3
GCJ31CD7YA106KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 35Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 GCJ31CD7YA106KE02 10uF - Product Image 4
GCJ31CD7YA106KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 35Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 GCJ31CD7YA106KE02 10uF - Product Image 5
GCJ31CD7YA106KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 35Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 GCJ31CD7YA106KE02 10uF - Product Image 6

GCJ31CD7YA106KE02ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY MLCC) 1206 10 F 35Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200 GCJ31CD7YA106KE02 10uF

฿16.51-66.03
MOQ: 1
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 1
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 2
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 3
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 4
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 5
GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15 - Product Image 6

GRM31CB31A476ME15 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% B 85 47uF GRM31CB31A476ME15

฿6.61-66.03
MOQ: 1
GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 1
GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 2
GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 3
GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 4
GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 5
GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF - Product Image 6

GRM319C81A106KA12(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM319C81A106KA12 10uF

฿16.51-66.03
MOQ: 1
GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 1
GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 2
GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 3
GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 4
GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 5
GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12 - Product Image 6

GRM31MB31C106KA12 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31MB31C106KA12

฿16.51-66.03
MOQ: 1
GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 1
GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 2
GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 3
GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 4
GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 5
GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16 - Product Image 6

GRM32EB31C226ME16(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM32EB31C226ME16

฿16.51-66.03
MOQ: 1
GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 1
GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 2
GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 3
GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 4
GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 5
GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01 - Product Image 6

GCG21BR71A106ME01ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200 10uF GCG21BR71A106ME01

฿16.51-66.03
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

ykbishomyightybinyshiatsuysyyyycieokihuearyikkiawyzhouayahaliyahgiayyy